据中新社香港报道，香港科技园公司与杰平方半导体(上海)有限公司（以下简称：杰平方）于10月13日在中国香港签署合作备忘录，双方将在香港科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首家碳化硅（SiC）8英寸先进垂直整合晶圆厂。
杰平方介绍，8英寸SiC先进垂直整合晶圆厂项目总投资约69亿港币（约合人民币64.5亿元），计划到2028年年产24万片SiC晶圆，带动年产值超过110亿港元，并创造超过700个本地和吸引国际专业人才来港的就业岗位。该工厂将成为香港首个具规模的半导体晶圆厂，将推动香港生产自主研发的第三代半导体芯片。
杰平方是一家车规芯片设计研发商，产品覆盖SiC功率器件及通用模拟、信号链芯片等，面向车身电能转换、通信等领域。
今年7月，杰平方发布了自主研发的1200V碳化硅MOSFET产品——JPM120020B，该产品支持耐压值1200V，导通阻抗为20mΩ，产品优势涵盖热稳定性好、允许导通电流更大、阻抗更低等，适用于光伏逆变、新能源汽车、充电桩、储能等应用。
从产品层面看，杰平方的布局与目前高功率应用领域对SiC产品性能的需求方向相符。而且，结合其在车规芯片领域的其他产品，杰平方在车用SiC领域有一定的协同优势。
特区政府创新科技及工业局局长孙东指出，目前全世界关于第三代半导体的研发都处于初步阶段，香港的第三代半导体企业做起来后，与欧美的差距大概在一两年左右。如果下一步借助内地的庞大市场，香港有可能在未来5至10年跻身世界领先行列。
另值得注意的是，香港特别行政区政府本月初还宣布，成功引进30家创新科技企业落户香港，其中8成来自内地，包括华为、京东、美团、联想、阿斯利康等。（化合物半导体市场Jenny整理）
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