据日经亚洲报道，日本汽车供应商住友电气工业株式会社（简称“住友电工”）将开始生产用于下一代半导体的节能碳化硅晶圆，预计将使电动汽车的行驶里程延长10%。
住友电工计划投资约300亿日元（约合15.36亿人民币），用于支付在富山县建设新工厂的费用，该工厂将在2027年开始大规模生产碳化硅晶圆，预计能够年产12万片6英寸晶圆，可用于电动汽车半导体，控制电机中的电流和电压。
该投资额还将用于扩建兵库县现有工厂的生产能力。
图片来源：拍信网正版图库
住友电工业务主要涉及汽车零部件、信息通信、电子产品、新材料、环境能源等产业。
值得注意的是，作为SiC器件供应商，目前住友电工开始向沟槽栅布局。
据悉，住友电工利用独特的晶面新开发了V形槽沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 (VMOSFET)。VMOSFET具有高效率、高阻断电压、恶劣环境下的高稳定性等优越特性，实现了大电流（单芯片200A），适用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）。此外，住友电工正在与国家先进工业科学技术研究所合作开发具有世界最低导通电阻的下一代VMOSFET。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。