今日，安森美宣布与博格华纳扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元（约合人民币72.2亿元）。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。
长期以来，双方已在广泛的产品领域开展战略合作，其中即包括EliteSiC器件。
安森美电源方案事业群执行副总裁兼总经理Simon Keeton说：“在主驱逆变器中集成EliteSiC技术，可以提高每加仑汽油的等效里程数（MPGe），这有助于缓解续航里程焦虑——这是电动汽车被更广泛采用的主要障碍之一。”
此前，安森美公布了2023年第一季度业绩，收入19.597亿美元，同比增长1%；GAAP和非GAAP的毛利率为46.8%；GAAP营业利润率和非GAAP营业利润率分别为28.8%和32.2%；汽车市场收入同比增长38%，占总收入的50%，创历史新高；汽车和工业终端市场共占收入的79%，创历史新高。
安森美CEO表示：“ 尽管宏观经济存在不确定性，但我们继续保持势头，第一季度的业绩超过预期。我们SiC产能输出提速超越了内部预期，使我们的碳化硅收入较上季度几乎翻了一番。”
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当前，向电动化和智能化方向发展的汽车市场正涌现出对芯片的巨大需求。英飞凌曾表示，汽车部门的产能在2023财年已全部售罄。扩产成为行业的主旋律。
在此形势下，今年以来，安森美在SiC方面动作不断。据不完全统计，安森美今年已与7家汽车相关企业达成合作。
1月，安森美宣布将其SiC系列命名为“EliteSiC”。同时，与现代汽车、起亚集团和大众汽车合作。
2月，安森美正式接管了格芯位于美国纽约州的12英寸晶圆厂，收购价格约合人民币30亿元。这使得安森美的晶圆工艺从200mm升级为300mm，还获得了格芯65nm、45nm CMOS的技术节点。
4月，安森美宣布与极氪智能科技（ZEEKR）签订了长期供货协议，将为极氪提供EliteSiC碳化硅功率器件。
5月，安森美高管表示，公司正在考虑投资20亿美元用于提高SiC芯片的生产，或在美国、捷克共和国或韩国进行扩张，目标是到2027年占领全球碳化硅汽车芯片市场40%的份额。
同月，安森美官方宣布，上能电气将在其公用事业级太阳能逆变器和200kW储能系统（ESS）中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模块（PIM）；安森美宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于电动汽车充电桩。
6月，安森美宣布已经与纬湃科技（Vitesco）签署价值19亿美元（135亿元）的SiC供应协议，安森美将在未来十年为纬湃科技供应SiC产品。纬湃科技也将导入安森美高效EliteSiC MOSFET来制造逆变器和电动车驱动器项目。
SiC相较于Si，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。
从产业链来看，SiC产业链涉及衬底、外延、器件设计、器件制造和封测等一系列环节。其中，碳化硅衬底和外延片的价值量占比超过一半，衬底成本最大。
随着电动汽车和新能源需求的持续增长，碳化硅需求旺盛，国产碳化硅正在从产业化向商业化加速迈进。
据TrendForce集邦咨询化合物半导体研究处统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）
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