6月6日，在东南大学建校121周年纪念日上，扬杰科技宣布与东南大学签署合作协议，组建“东南大学—扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”。
基于此研发中心，双方将在功率半导体领域（尤其是宽禁带功率器件领域）进行深层次合作，开发世界级水平、具有自主知识产权的、符合市场与应用需求的功率半导体芯片，包括发展战略研究、硅基功率器件设计、宽禁带功率器件设计等项目的开展，加速功率半导体芯片设计及应用等研究成果的产业化。
01、扬杰科技深耕功率半导体
除了此次与东南大学共建研发中心之外，扬杰科技近期还表示，因公司战略发展需要，计划与扬州市邗江区人民政府签署了《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，拟投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目，总投资约10亿元。
该项目分两期实施建设，项目全部建成投产后，形成碳化硅6英寸晶圆产能5000片/月。项目位于扬州市邗江区汽车产业园新甘泉东路 56 号。项目新建厂房 27,000 平方米，其中高洁净车间（光刻区十级、操作区百级）的净化装修预计在 4,500 平方米。
此外，在去年6月，扬杰科技以2.95亿元收购中电科四十八所持有的楚微半导体40％股权，标的主要布局中高端功率器件。
今年2月，扬杰科技又以2.94亿元收购楚微半导体30％股权，若收购成功，楚微半导体将成为扬杰科技的子公司。
详细来看，楚微半导体主要在8英寸生产工艺平台生产及销售半导体功率器件芯片，产品主要包括高、中、低压沟槽式MOSFET芯片和沟槽式光伏二极管芯片等，后续将向SiC碳化硅芯片等产品拓展。
02、东南大学加速科研成果产业化
而东南大学方面，在近几年来一支在加速科研技术成果的落地，与扬杰科技成立研发中心是众多落地项目之一。目前东南大学与不同企业共建来了25个校企联合研发中心。在第三代半导体领域，东南大学还与紫金山实验室、南京第三代半导体技术创新中心有限公司。
值得一提的是，去年12月，东南大学有两项研究成果发表在电子器件领域顶会IEDM。第一项成果题为“41% Reduction In Power Stage Area On Silicon-On-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT Platform With Newly Developed Multiple Deep-Oxide Trench Technology”，东南大学副研究员张龙、博士生马杰为论文共同一作。
报道了一种具有多深度氧化沟槽（MDOT）的SOI基Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT技术（图1），集成了550V高压LIGBT、LDMOS、FWD及中低压CMOS、BJT等器件，实现了高低压隔离、高压互连线屏蔽以及器件漂移区的大幅缩短。采用MDOT技术能够将单片集成智能功率芯片中的功率级面积缩小约41%。
（来源：东大电子）
第二项成果题为“Hybrid Gate p-GaN Power HEMTs Technology for EnhancedVth Stability”，东南大学博士生张弛为论文第一作者。
报道了一种提高第三代功率半导体p-GaN HEMT器件阈值电压稳定性的技术——p-GaN栅极混合接触势垒技术（图2），利用势垒较低的局部欧姆接触形成的“电荷泄放”路径，有效抑制了传统p-GaN HEMT中存在的“电荷存储”效应，在维持器件低栅漏电特性的前提下增强了器件阈值稳定性。
该技术使得器件在200V、400V反偏应力下阈值电压漂移量分别为0.07V与0.09V；在重复非钳位感性负载应力冲击下，阈值电压漂移量仅为0.03V。
（来源：东大电子）
文：集邦化合物半导体 Jump整理
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