SiC属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是卫星通信、电动汽车、高压输变电、轨道交通等重要领域的核心材料。
SiC单晶的制备一直是全球性技术难题，而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。
如今，烁科晶体已建立起完整的SiC晶片生产线，突破晶体生长、切割抛光等关键技术，粉料纯度达到99.9995%，达到国际先进水平，实现高纯度SiC单晶的商业化量产。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨询特在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”。
届时，烁科晶体 总经理助理 马康夫将出席，给大家带来《SiC单晶生长技术浅析及应用展望》主题演讲，同场还有更多“重量级”嘉宾，给大家进一步剖析第三代半导体的现状和未来。
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