多应用驱动!SiC、GaN等第三代半导体未来可期

作者 | 发布日期 2023 年 05 月 24 日 17:14 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

关于第三代半导体的疑虑,这场研讨会都有答案。

第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,先天性能优越,是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而,现实与理想之间尚有较大差距,我们对第三代半导体的发展仍存疑虑。

为进一步剖析第三代半导体的现状和未来。2023年6月15日,TrendForce集邦咨询特在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”,邀全球知名的第三代半导体专家、院校代表、专业研究机构、企业工程师等齐聚一堂,为第三代半导体产业的发展建言献策,共同促进第三代半导体产业的发展和升级。