今日，科友半导体宣布其6/8英寸碳化硅规模化生产取得了重大技术突破。
公司自主研发出两种不同加热方式的PVT法晶体生长炉，完成了国产自主1至4代感应炉和1至3代电阻炉的研发，形成大尺寸低成本碳化硅产业化制备系列技术。
实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货，向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料及技术服务等全产业链的解决方案。突破如下：
热场及耗材国产化率达到95%以上；
长晶良率达到80%以上，晶体厚度达到40mm以上；
打破传统碳化硅粘接籽晶技术的限制；
突破了大尺寸8英寸碳化硅单晶制备的关键技术；
具备超强的兼容性；
已申请专利129项，目前授权专利61项。
Source：科友半导体
据了解，科友半导体第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产，该项目总投资10亿元，目前已安装100台长晶炉，全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。二期工程将于近期开工建设，建成后将实现年产导电型碳化硅衬底15万片。
按照发展规划，未来两年科友半导体将实现年产20~30万片碳化硅衬底的产能，成为全球碳化硅衬底重要供应商之一。（文：集邦化合物半导体 Doris整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。