今年以来，海内外厂商活跃于各大电力电子相关的展会，并陆续发布了新的SiC技术、产品、解决方案或参考设计，技术水平和产品性能都进一步得到改善和升级。
其中，三菱电机开发了一款新型的SBD嵌入式的SiC MOSFET模块FMF800DC-66BEW，具备双型3.3kV耐受电压及6.0kVrms隔离电压，该产品已在PCIM Europe 2023展上亮相。
来源：三菱电机
据介绍，3.3kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块尺寸为100mm x 140mm x 40mm，预期可在铁路和电力系统等大型工业设备的逆变器系统中提供高功率输出、高效率和高可靠性。
三菱电机表示，相比其现有的Si功率模块，这款产品结合经优化的封装结构可将开关损耗降低91%，相比现有的SiC功率模块，开关损耗可降低66%，有助于减少逆变器的功耗，提升功率输出和效率。同时，该模块结合优化的载流量，还能增强逆变器的可靠性。
另外，三菱电机优化了端子布局，可实现并联，根据并联数量，支持多种逆变器的配置和容量。此外，该产品还具有DC和AC主端子相反极性的封装结构，有助于简化电路设计。
5月8日，三菱电机透露，新型SiC模块样品将于5月31日开始出货。（化合物半导体市场Jenny编译）
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