据人民网消息，近日，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（以下简称“科友半导体”）开发的高性能碳化硅长晶装备和高质量衬底产品实现规模化生产。自主研发的第三代半导体碳化硅产品不仅具有晶体生长周期短、良率高等优势，而且将衬底成本降低一半以上。
科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产线搭建、单晶衬底材料制备等，并在此基础上进一步实现了8英寸碳化硅单晶衬底制备。
目前，科友半导体第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产，该项目总投资10亿元，目前已安装100台长晶炉，全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。二期工程将于近期开工建设，建成后将实现年产导电型碳化硅衬底15万片。
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按照发展规划，未来两年科友半导体将实现年产20~30万片碳化硅衬底的产能，成为全球碳化硅衬底重要供应商之一。
SiC衬底是制造SiC器件最基础的材料，也是发展SiC的关键。目前，SiC因其优异的性能，广受电动汽车、可再生能源等领域的认可。
据TrendForce集邦咨询化合物半导体研究处最新发布的《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%；至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）
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