3月22日，证监会发布了关于同意南京晶升装备股份有限公司（以下简称：晶升装备）首次公开发行股票注册的批复，同意晶升装备科创板IPO注册。
据悉，晶升装备基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。
目前，晶升装备已得到了众多主流半导体厂商的认可。其中，半导体级单晶硅炉业务的主要客户包括沪硅产业（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）和神工股份等，碳化硅单晶炉业务的主要客户包括三安光电、东尼电子及浙江晶越等。
业绩方面，2019年-2022年上半年，晶升装备营业收入分别为2,295.03万元、12,233.17万元、19,492.37万元和6,505.58万元，销售规模整体呈增长趋势。
值得一提的是，2018年以来，随着下游新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域市场的快速发展，国内碳化硅行业开始步入快速发展阶段。
在此背景下，晶升装备自2018年起率先投入4-6英寸导电型碳化硅单晶炉研发，2019年实现首台产品销售，产品于2020年开始批量化投入下游碳化硅功率器件（导电型衬底）应用领域验证及应用；2020年又完成6英寸半绝缘型碳化硅单晶炉研发、改进、定型，同年其半绝缘型碳化硅单晶炉实现向天岳先进的首台供应及产品验证。
而来自碳化硅单晶炉的营收也在节节攀升，目前已经成为晶升装备最大的收入来源。
据了解，晶升装备生产的碳化硅单晶炉主要应用于6英寸碳化硅单晶衬底，包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备。
本次登陆科创板，晶升装备拟募资47,620.39万元，投向以下项目：
其中，“总部生产及研发中心建设项目”将建设集经营办公和新产品技术研发于一体的综合性总部大楼与厂房，计划涵盖的主要研发内容有：
1.半导体硅NPS晶体单晶炉研发：针对14-28nm工艺存储用抛光片单晶炉进行研发，开发适合NPS单晶生长的热场及工艺，升级控制硬件及策略，提高NPS晶体产出良率。
2.6-8英寸碳化硅单晶炉研发：推动碳化硅单晶炉向6-8英寸拓展，在现有感应加热PVT碳化硅单晶炉的基础上，深入挖掘各项设备性能参数，从设计、制造、安装、调试、维护等方面着手，提高操作便利性、减小机差，提高工艺可复制性，使设备能够稳定产出适合于MOSFET用的大尺寸碳化硅晶锭。
3.温度梯度可控单晶炉加热及控制系统：针对当前PVT法温度梯度可控性差的问题，进一步开发包括电阻式加热、液相法等其他碳化硅长晶技术，实现更优的可控的单晶炉加热。
产能提升方面，晶升装备指出，“总部生产及研发中心建设项目”达产后可实现各类晶体生长设备年产量400余台；而“半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目”达产后可生产各类晶体生长设备700余台/年。（化合物半导体市场 Winter整理）
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