三菱电机昨（14）日宣布，为响应快速增长的电动汽车SiC功率半导体需求，并扩大新应用市场，例如低能量损耗、高温运行或高速开关等，三菱电机将增产高效节能的碳化硅功率半导体。
计划主要包含两部分，一方面是投资约1000亿日元，其中大部分将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂，并加强相关生产设施。新工厂将在熊本县石井地区拥有一个自有设施，生产大直径8英寸SiC晶圆，并引入一个具有先进能源效率和高自动化生产效率的洁净室。另外，三菱电机还将加强其6英寸SiC晶圆的生产设施，以满足市场不断增长的需求。
另一方面，三菱电机还将投资约100亿日元用于新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的业务，用于功率半导体的组装和检测。
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根据这一计划，预计2026年三菱电机的晶圆产能将大幅增加，达到2022年度的5倍。此外，三菱电机还提出到2025年度将功率半导体销售额提高到2400亿日元、比2021年度增长34％的目标，而营业利润率的目标是达到10％。
而在2021年11月，三菱电机举行功率器件业务的业务说明会时，曾表示将在未来五年内向功率半导体业务投资1300亿日元。本次增资扩产计划的提出意味着三菱电机在2021年-2025年度之间，对功率半导体事业的投资计划翻番，达到约2600亿日元。
据悉，三菱电机于2010年开始量产碳化硅功率半导体。2021年，三菱电机碳化硅功率半导体的全球份额排在第6名，而在日本企业中则仅次于排在第4名的罗姆。（文：集邦化合物半导体 Winter整理）
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