据韩媒昨日（3/10）日报道，三星晶圆代工部（Samsung Foundry）已经从去年开始为英飞凌生产MOSFET，未来有望为其代工基于SiC/GaN的电源管理芯片。
韩媒表示，知情人士透露，虽然三星晶圆代工部到目前为止签订的代工合同主要是生产通用型电源管理芯片，但英飞凌正在下更多的单。未来，三星晶圆代工部有可能将为英飞凌代工IGBT或基于SiC/GaN的电源管理芯片。
据悉，三星与英飞凌之间合作已久，合作成效于去年开始显现。目前，英飞凌已跃升全球电源管理IC领头羊。但韩媒指出，三星晶圆代工部在电源管理芯片等模拟半导体领域的发展不温不火。
若此消息为真，三星晶圆代工部未来不仅收入渠道增加，收入来源也将显著增长。按照英飞凌当前的发展规划，SiC/GaN第三代半导体是重点发展方向，英飞凌近两年来持续扩充第三代半导体产能，还于最近收购了氮化镓芯片龙头GaN Systems，决心由此可见一斑。
因此，结合第三代半导体广阔的市场需求，如果拿下英飞凌SiC/GaN电源管理芯片的代工订单，三星晶圆代工部未来有望打破韩媒所说的不温不火局面，取得更进一步的发展。（化合物半导体市场Jenny编译）
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