近日，罗姆（ROHM）接连发布了两则好消息。一是其开发的SiC SBD成功应用于村田制作所旗下企业的数据中心电源模块；二是确立了一项技术，可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
SiC SBD成功应用于村田数据中心电源模块
3月2日，罗姆宣布其开发的第3代SiC肖特基二极管(以下简称“SBD”)成功应用于Murata Power Solutions的产品上。
Murata Power Solutions是电子元器件、电池、电源领域的日本著名制造商——村田制作所集团旗下的一家企业。ROHM的高速开关SiC SBD产品“SCS308AH”此次成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块“D1U系列”,并且为该系列产品的性能提升和尺寸的小型化做出了贡献。
Murata Power Solutions所采用的第3代SiC SBD新产品具有总电荷量(QC)小、损耗低且开关速度高的特点。与第2代SBD相比,，其抗浪涌电流能力更出色，VF值更低。
据了解，罗姆自2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来，作为SiC功率元器件领域的领军企业，一直在推动先进产品的技术开发。此前，罗姆计划到2025财年（截至2026年3月）最高向碳化硅功率半导体投资2200亿日元——这使罗姆的投资额增加到了2021年时计划的4倍。
图片来源：拍信网正版图库
超高速驱动控制IC技术
近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。
在这种背景下，昨（7）0日，罗姆宣布进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，罗姆正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与罗姆的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。（文：集邦化合物半导体 Arely整理）
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