Tesla最近表示将在不损害汽车性能和效率的前提下，在下一代电动汽车平台缩减75% SiC用量，这是Tesla提供的关于新车计划的少数硬性细节之一，由此引发了业界的各种猜测。
据TrendForce集邦咨询了解， SiC可靠性以及供应链的稳定性确实令Tesla信心不足，过去几年中曾因此出现过Model 3批量召回事件，当时Tesla官网解释为“后电机逆变器功率半导体元件可能存在微小的制造差异，其中部分车辆使用一段时间后元件制造差异可能会导致后逆变器发生故障，造成逆变器不能正常控制电流”，这直接指向SiC。
此外，以衬底材料为关键的产能紧缺情况已成为困扰整个SiC产业发展的难题，Wolfspeed、Infineon、ST等主要厂商正在大举扩充产能，Tesla亦在寻求多元化供应商方案，以防备供应链风险。
不可否认的是，SiC仍是电动汽车制造商未来必须考虑的核心零组件，这包括Tesla。因此，若考量到技术变革所带来的影响，TrendForce集邦咨询认为Tesla下一代电动汽车主逆变器将做出全新的封装调整，可能包括SiC/ Si IGBT的混合封装方案，这是工程设计层面的颠覆性创新，但充满挑战。
与此同时，TrendForce集邦咨询认为Tesla下一代电动汽车关键SiC MOSFET工艺亦或由Planar结构转向Trench结构，Infineon、ROHM、BOSCH为Trench SiC MOSFET主要供应商。
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这些技术的改变将大幅缩减SiC成本，降低整车系统复杂性与成本，进而推动SiC在中低阶车型中的渗透，但亦将对Si IGBT形成一定的冲击。
作为车用SiC市场风向标，Tesla的一举一动持续为业界予以高度关注，考虑到其下一代电动汽车平台信息尚不明朗，因此当前种种猜测仍需时日去佐证。（文：集邦化合物半导体 Matt）
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