昨日，深圳青铜剑科技股份有限公司（以下简称“深圳青铜剑”）科技大厦顺利封顶。
青铜剑第三代半导体产业基地是深圳市年度重大项目，位于坪山区丹梓大道与光科三路交汇处西南角，占地逾8000平方米，总建筑面积近50000平方米。
该基地于2021年1月正式开工，将作为青铜剑科技集团总部，同时建设第三代半导体研发中心、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等，最终形成国内领先的具备全产业链研发和生产制造能力的第三代半导体产业基地。
图片来源：基本半导体
青铜剑技术专注于IGBT、MOSFET和碳化硅等功率半导体器件驱动的研发、生产、销售和服务，产品广泛应用于新能源汽车、轨道交通、新能源发电、工业节能、智能电网等领域，为超过300家客户提供优质的电力电子核心元器件产品和解决方案服务。
2018年，中国中车旗下的中车时代投资与青铜剑技术签署战略投资协议，将加快青铜剑技术在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动领域的研发，推动以中国高铁为代表的中国高端制造拓展海内外市场。
据统计，2021年，深圳市IC产业主营业务收入超过1100亿元，预计到2025年，产业营收将突破2500亿元。
其中，第三代半导体是全球半导体产业的重要创新方向之一，在国家《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点发展领域，也是深圳重点扶持产业。在深圳2500亿营收目标中，第三代半导体将成为重要助力。
今年6月，深圳市政府在发布的《培育发展半导体与集成电路产业集群行动计划（2022-2025年）》通知中明确提出，深圳将重点布局12英寸硅基和6英寸及以上化合物半导体芯片生产线。提升氮化镓和碳化硅等化合物半导体材料与设备研发生产水平，加速器件制造技术开发、转化和首批次应用。
同时，面向5G通信、新能源汽车、智能终端等新兴应用市场，大力引进技术领先的化合物半导体企业。并且，鼓励企业推广试用化合物半导体产品，提升系统和整机产品的竞争力。（文：集邦化合物半导体 Cecilia整理）
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