庞大的电力电子装置市场，正在助推中国的SiC功率半导体产业快速成长，并形成了较为完整的本土供应链。与国际市场的IDM模式主导不同，中国市场受限于技术成熟度呈现出较为明显的分工模式。
根据TrendForce集邦咨询研究，从产业结构来看，中国的SiC功率半导体产值以功率元件业（包含Fabless、IDM以及Foundry）占比最高，达42.4%，接续为衬底片制造业及外延片制造业。
对于SiC衬底及外延材料环节，中国厂商已逐渐赢得海外领先业者的认可，并在供应链中享有可观的份额，尤其体现在外延片环节。须留意的是，在SiC晶体厚度与一致性指标上，本土厂商仍需付出诸多努力，以期实现在汽车电驱系统等更多高端场景中的应用。当前中国正在展开大规模的SiC材料扩产行动，TrendForce集邦咨询预估2023年中国N-Type SiC衬底产能（折合6英寸）可达1020Kpcs，其中以天科合达份额续居首位。
随着新能源汽车、光伏、储能、充电桩等下游市场的快速爆发，中国的SiC功率元件市场规模正在迅速扩大。据TrendForce集邦咨询统计，按2022年应用结构来看，光伏储能为中国SiC市场最大应用场景，占比约38.9%，接续为汽车、工业以及充电桩等。当然，汽车市场作为未来发展主轴，即将超越光伏储能应用，其份额至2026年有望攀升至60.1%。
在此情况下，中国已有约70家厂商切入SiC功率元件业务，整体市场进入高度竞争阶段。尤其针对低阶二极管，不少厂商深感无力而陆续退出，进一步聚焦凸显核心竞争力的MOSFET业务。
再观察SiC晶圆产线情况，据TrendForce集邦咨询不完全统计，截至3Q23，中国已有约24家厂商涉足SiC晶圆制造。其中IDM厂商15家，7家实现量产；Foundry厂商9家，5家实现量产。以各家晶圆产能来看，三安光电与积塔半导体分别位居IDM与Foundry厂商首位。
整体来看，尽管中国SiC晶圆厂产能扩张的步伐仍在继续，但有效的MOSFET产能并不理想。TrendForce集邦咨询统计2022年由中国厂商释放的SiC MOSFET晶圆产能尚不足全球10%，不过这一情况预计自4Q23开始会有所好转。
以下为TrendForce集邦咨询《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part2》报告目录：
