近日,日本化工企业旭化成(Asahi Kasei)旗下的UVC LED制造商Crystal IS宣布,公司根据UVC LED的当前业务需求,将在美国批量生产4英寸单晶氮化铝衬底,其可用面积达到99%。
据悉,氮化铝的超宽带隙和高导热性有助于提高UVC LED和其他下一代RF和功率器件的可靠性和性能。
![](https://img.cnledw.com/wp-content/uploads/2024/06/微信截图_20240619161822.jpg)
左:2024年Q1,Crystal IS的100mm氮化铝衬底的可用面积为90%;右:2024年Q2,氮化铝衬底其可用面积为99.3%。
Crystal IS表示,在过去九个月,公司氮化铝大直径衬底实现了质的提升,展示了公司团队在晶体生长方面的丰富经验与专业知识,氮化铝固有的热优势可以使射频和功率设备性能更高。
Crystal IS计划在今年向主要合作伙伴供应直径为4英寸的氮化铝衬底,这些衬底将在其美国工厂独家生产,Crystal IS也将继续拓展UVC LED以外的业务。
资料显示,Crystal IS成立于1997年,致力于开发氮化铝衬底,其技术工艺可用于2英寸直径衬底中生产UVC LED。这些LED具有260-270nm波长,以及高可靠性和高性能特点,可满足水消毒、空气和表面消毒等应用。
去年8月,Crystal IS宣布生产出了首款4英寸氮化铝衬底,展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性,能够满足各类应用的生产需求。(文:集邦化合物半导体)
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