今年5月，德国MOCVD设备商爱思强宣布拟投资建设新的创新研发中心，为已在准备的下一代产品及未来其他新产品提供更充足的生产能力，提升半导体沉积设备的研发能力。近日该项目迎来新的进度。
11月23日，爱思强宣布，创新研发中心在德国黑措根拉特（Herzogenrath）总部正式开始建设，项目总投资约1亿欧元（约合人民币7.6亿元），项目包含1000㎡的洁净室空间以及相关计量设备所需的额外空间。其中，洁净室的洁净程度可达到ISO 6级别，最高可提升至ISO 4级别。
研究中心将采用业界最新设施与技术进行MOCVD设备研发工作。第一批设备系统将于2024年下半年搬入研发中心内，预计2025年初项目正式完成移交。
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爱思强方面表示，公司近期成功发布了G10新品系列，已获得非常高的客户需求订单，因此公司正处于产量提升阶段。目前，公司已进入到了下一代产品的研发中，新的创新中心将为公司团队提供了研发下一代产品的能力。
据悉，爱思强近年持续加大对MOCVD技术和产品的研发投入。今年，爱思强相继发布了G10新品系列，包括用于SiC 电力电子器件生产的G10-SiC设备，用于Micro LED和激光器件生产的G10-AsP 以及用于GaN器件大规模生产的G10-GaN设备。
新设备性能的大幅提升，让其获得多个新老客户的订单，爱思强业绩也获得提升。今年三季度，在GaN和SiC应用领域高需求以及新产品G10-GaN推出的带动下，爱思强实现营收1.65亿欧元（约合人民币12.97亿元），同比增长86%；息税前利润率从Q2的26%增长至27%；毛利率提升至46%。
未来创新研发中心的建成，将进一步提高爱思强研发能力，提升设备新品性能，推动其在第三代半导体、Micro LED等领域发展布局，稳固爱思强在沉积设备领域的地位。（文：集邦化合物半导体）
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