关于第三代半导体的疑虑,这场研讨会都有答案。
第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,先天性能优越,是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而,现实与理想之间尚有较大差距,我们对第三代半导体的发展仍存疑虑。
为进一步剖析第三代半导体的现...  [详内文]
多应用驱动!SiC、GaN等第三代半导体未来可期 |
作者 huang, Mia | 发布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:14 | | 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC |