文章分类： 氮化镓GaN

赛微电子子公司聚能创芯将获2.8亿元增资

作者 | 发布日期: 2023 年 06 月 05 日 17:16 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，赛微电子公告，根据公司GaN业务发展的实际情况，为增强控股子公司青岛聚能创芯微电子有限公司（以下简称“聚能创芯”）的资本实力，拟由中金启合、湖州人才基金、中金启阳、鸢飞基金、传感基金、康博电子对聚能创芯进行增资2.8亿元。 增资完成后，公司持有聚能创芯股权的比例由32.02...  [详内文]

最新议程出炉！第三代半导体前沿趋势研讨会汇集行业大咖

作者 | 发布日期: 2023 年 06 月 02 日 17:16 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2023年6月15日，TrendForce集邦咨询将在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”。 目前，最新议程出炉！会议汇集华灿光电、英诺赛科、纳设智能、国星光电、天科合达、芯聚能、Wolfspeed、烁科晶体、AIXTRON、泰科天润、珠海镓未来、三菱电机、天域...  [详内文]

2023年全球IC设计产业综整研析

作者 | 发布日期: 2023 年 06 月 01 日 17:30 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2023年第一季Top10 IC设计厂商营收表现皆走弱，第一～三名排名出现变动。 Broadcom超车NVIDIA夺下第二名位置，不过Broadcom与NVIDIA尚未公布营收，此处采用财测数字，且差距极小，因此实际排名状况或有不同，其他排名则略有变动。 由于整体供应链库存持续修...  [详内文]

碳化硅与氮化镓，谁拥有更广阔的星辰大海

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:23 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
当下，低碳化和数字化齐头并进的发展，带来了万物互联、能源效率、未来出行等多重变革。而在这个突飞猛进的过程中，第三代半导体则发挥着重要作用。 同属第三代半导体，碳化硅和氮化镓近年来不断发光发热，成为半导体领域的“流量明星”。那么，这两种材料，谁的市场前景更大呢？ 碳化硅和氮化镓：在...  [详内文]

【会议预告】国星光电：GaN的SIP封装及其应用

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:22 |
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| 分类: 氮化镓GaN
SIP（系统级封装）技术是通过将多个裸片及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。在后摩尔时代，SiP技术可以帮助芯片成品增加集成度、减小体积并降低功耗。 国星光电已开发出多款使用SIP封装的GaN-IC产品，可在LED驱动电源、LED显示器驱动电源、墙体插座快充、移动排插...  [详内文]

第一季全球新能源车销量达265.6万辆，特斯拉市占回升

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:21 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
根据TrendForce集邦咨询统计，2023年第一季全球新能源车（NEV；包含纯电动车、插电混合式电动车、氢燃料电池车）销售总量为265.6万辆，年增28%。其中纯电动车（BEV）销量为194.2万辆，年成长26%；插电混合式电动车（PHEV）销量71.1万辆，年增34%。 ...  [详内文]

华灿光电完成650V GaN产品小批量出样和测试

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 30 日 17:25 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，华灿光电在接受机构调研时称，公司目前已完成了650V GaN产品的小批量出样和测试，650V GaN MOSFET出样，性能可符合高频AC/DC PD 65W快充应用。 华灿光电表示，2022年，在自有外延方面，已启动6英寸蓝宝石衬底研发，初步完成650VGaN on Si...  [详内文]

全球InP产业发展现状浅析

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:26 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
作为化合物半导体材料，InP（磷化铟）半导体元件具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，在光通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、航天等领域具有广阔的应用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射频元件，其在光子领域具...  [详内文]

【会议预告】AIXTRON：宽禁带半导体器件量产解决方案

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 26 日 17:31 |
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| 分类: 氮化镓GaN
随着新能源汽车、5G、快充等产业高速发展，以碳化硅，氮化镓为首的宽禁带半导体下游领域需求不断增加。加之国内外政策的推动，宽禁带半导体产业正在爆发巨大的发展潜力。 市场的不断扩大，各大厂商开始“排兵布阵”，形成量产，设备产业迎来了热潮， 宽禁带半导体器件量产成为了产业聚焦的问题。 ...  [详内文]

多应用驱动！SiC、GaN等第三代半导体未来可期

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:14 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
关于第三代半导体的疑虑，这场研讨会都有答案。 第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，先天性能优越，是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而，现实与理想之间尚有较大差距，我们对第三代半导体的发展仍存疑虑。 为进一步剖析第三代半导体的现...  [详内文]