文章分类: 氮化镓GaN

三家企业联合,攻关8英寸外延片功率器件工艺

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 21 日 14:42 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据深圳国资消息,3月18日,重投天科与鹏进高科、尚阳通科技正式签署合作协议,共同聚焦于8英寸外延片功率器件工艺的联合攻关。这一合作标志着国内半导体企业在关键材料技术领域的深度协同,旨在突破高端功率器件制造中的关键技术瓶颈。 source:深重投集团 8英寸外延片是半导体制造中的...  [详内文]

华润微旗下公司发力,氮化镓外延片项目将投产

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 20 日 16:06 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
海创集团官微消息,近日,润新微电子集团有限公司与大连海创集团有限公司下属建设发展公司正式达成战略合作,宣布入驻黄泥川智能制造产业园。 上述项目是第三代半导体氮化镓外延材料和电子元器件研发与产业化的重要基地总建筑面积6238.38平方米,同时配套有占地面积2966.6平方米的附属设...  [详内文]

EPC专利被判决无效,英诺赛科获ITC案件终极胜利

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:19 |
| 分类: 产业 , 企业 , 氮化镓GaN
3月19日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)宣布,其在与美国宜普公司(EfficientpowerConversionCorporation,EPC)发起的专利侵权案中取得决定性胜利。 3月18日,美国专利局(USPTO)对EPC涉案专利(US’294号专...  [详内文]

安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:07 | | 分类: 氮化镓GaN
近日,国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利。 专利摘要显示,本发明涉及半导体激光元件技术领域,具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上...  [详内文]

杭州第三代半导体相关项目迎新进展

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 | | 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
杭州“临安发布”消息,爱矽科技园项目已完成40%的施工进度。计划今年年底,园区全部结顶竣工,争取明年5月投入使用。 该产业园于2024年5月开工,项目计划打造临安首个集芯片设计研发、先进封装封测、功率器件封装封测等多元功能于一体的集成电路产业园,占地118亩,建筑面积约20万平方...  [详内文]

这家破产的GaN工厂,被全球三大公司竞购

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 16:59 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日,一场围绕氮化镓(GaN)技术的竞购战正在比利时奥德纳尔德市悄然上演。曾被誉为欧洲GaN技术先驱的BelGaN工厂,因资金链断裂于2024年8月申请破产,其440名员工的命运与价值1.3亿欧元的资产标的,成为全球半导体产业链争夺的焦点。 从辉煌到陨落,BelGaN花落谁家 B...  [详内文]

聚焦三代半等领域,江苏首只高校科技成果转化基金完成注册

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:00 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
据江苏金融湃消息,近日江苏首只高校科技成果转化基金——南京高校科技成果转化天使基金完成工商注册。这只总规模5亿元的基金,将重点投向第三代半导体、前沿新材料等战略领域,为高校科研成果转化注入”耐心资本”。 据悉,该基金由江苏省战略性新兴产业母基金、南京市创新...  [详内文]

国家队再投一家化合物半导体大厂

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 8:56 | | 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息显示,3月13日,国家集成电路产业投资基金二期(以下简称“大基金二期”)投资入股了昂坤视觉(北京)科技有限公司。 source:集邦化合物半导体截图 此前,昂坤视觉还获得了中微公司、汇川技术、晶盛机电等知名产业方,金浦投资、招商致远、海望资本、昌发展、冯源资本、清...  [详内文]

欧洲九国联盟,第三代半导体划重点

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:32 | | 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日,德国、荷兰、法国、比利时、芬兰、意大利、奥地利、波兰和西班牙九个国家正式签署协议,组建“半导体联盟”(Semicon Coalition),旨在通过协同合作提升芯片自给能力,并强化自身在全球半导体版图的地位。 上述联盟主攻技术主权、供应链韧性与创新竞争力三大核心方向,将重点...  [详内文]

纳微半导体、CGD两家公司氮化镓新突破

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:28 | | 分类: 企业 , 氮化镓GaN
第三代半导体产业中,氮化镓凭借出色的电子迁移率和更高的开关速度,在高频应用领域中展现出优势,吸引业界关注。近期,市场传来纳微半导体、CGD两家公司氮化镓新动态,涉及电动汽车、车载充电以及光伏逆变器等领域。 01 纳微半导体全球首发双向氮化镓开关 3月12日,纳微半导体发布全球首款...  [详内文]