文章分类： 氮化镓GaN

国内第一，这颗6英寸氧化镓单晶击碎“卡脖子”

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 01 日 8:57 |
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| 分类: 氮化镓GaN
昨（27）日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 图片来源：拍信网正版图库 01、中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶 氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O...  [详内文]

纳微2022全年营收2.64亿，GaN和SiC业务并进！

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:22 |
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| 分类: 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2月23日，纳微半导体公布了2022年Q4及全年财报，回顾了2022年的“高光时刻”，并表达了对2023年业务规模持续扩张、业绩强劲增长的憧憬。 2022年业绩回顾 2022年，纳微实现营收3790万美元（约合人民币2.64亿元），同比增长60%；其中，Q4实现营收1230万美元...  [详内文]

近60家芯片企业融资完成，透露什么？

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:19 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2023年已过去快两个月，全球半导体市场从消沉走向复苏仍然还有一段距离，不过细分领域的逆势增长有望给投资市场或半导体企业打入一剂强心针。 据全球半导体观察不完全统计，近期共有57家半导体企业完成阶段融资，这些企业涉及第三代半导体、车规级芯片、毫米波雷达芯片、传感器等领域。据披露的...  [详内文]

中国科大研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:13 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。 相关研究成果分别以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [详内文]

Transphorm公布最新财报，高功率GaN收入占比超70%

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 27 日 16:41 |
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| 分类: 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
日前，高压功率转换GaN供应商Transphorm 公布了2023财年第三季度（截至2022年12月31日）的财报，多项业务取得重要进展，营收表现良好。 上个季度，Transphorm 实现营收450万美元（约合人民币3125万元），环比增长22%，同比微减2%。产品收入环比增长...  [详内文]

总投资8亿、年产能120万套，芯动半导体第三代半导体项目开工

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 27 日 16:37 |
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| 分类: 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
根据长城汽车官网消息，2月26日，长城无锡芯动半导体科技有限公司（以下简称：芯动半导体）“第三代半导体模组封测项目”奠基典礼在无锡举行。 图源：长城汽车官网 该项目总投资8亿元，建筑面积约30000㎡，规划车规级模组年产能120万套，预计在2023年9月具备设备全面入厂条件，最...  [详内文]

高功率GaN收入占比超70%，这家厂商公布最新财报

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 24 日 17:42 |
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| 分类: 氮化镓GaN
日前，高压功率转换GaN供应商Transphorm 公布了2023财年第三季度（截至2022年12月31日）的财报，多项业务取得重要进展，营收表现良好。 上个季度，Transphorm 实现营收450万美元（约合人民币3125万元），环比增长22%，同比微减2%。产品收入环比增长...  [详内文]

华润集团第三代半导体项目签约落地无锡

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 24 日 16:23 |
关键字: ,
| 分类: 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据无锡日报报道，2月20日-22日，无锡市委书记杜小刚率无锡代表团，拜访华润集团、光大控股、隆源控股、德昌电机、瑞东集团等香港知名企业，考察香港贸易发展局、香港科学园等机构，推进锡港两地在产业、科创、金融、教育、文旅等领域的对接合作。 本次活动还举办签约仪式。其中，华润集团第三代...  [详内文]

瞻芯电子：国产驱动芯片IVCR1801A和1407A量产

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:23 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，瞻芯电子自主开发的2款通用栅极驱动芯片IVCR1801A、IVCR1407A启动了全国产供应链量产。 据了解，IVCR1801A和IVCR1407A均为单通道、高速、低侧的栅极驱动芯片（Gate-driver），已获工规级可靠性认证（JEDEC)，且能兼容替代国际厂牌的成熟...  [详内文]

6.98亿，国产射频芯片龙头国博电子拟开展二期项目

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:22 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，国产射频芯片龙头国博电子宣布，根据射频集成电路产业化项目整体规划，拟使用自有或自筹资金购买位于南京市江宁区金鑫西路以东、凤矿路以西地块的土地使用权（最终购买金额和面积以实际出让文件为准），并开展射频集成电路产业化项目二期建设。 项目与公司已建设的项目一期地块为相邻区...  [详内文]