文章分类： 氮化镓GaN

年产10万片，辽宁将增加10条氮化镓外延生产线

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 10 日 17:26 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
日前，辽宁百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百思特达”）氮化镓半导体芯片项目传来新进展：该项目已进入产品试生产阶段。 据此前披露消息，项目于2019年11月开工建设，总投资3亿元，占地面积125亩，总建筑面积5万余平方米。其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及...  [详内文]

捷捷微电高端功率半导体器件产业化项目进展顺利

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 06 日 17:30 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
1月6日，捷捷微电在投资者互动平台表示，公司南通“高端功率半导体器件产业化项目”一期进度符合预期，主要是针对产能及良率来设定预期，公司生产的产品良率也在预期内，保持在95%以上。 此前，捷捷微电称，目前公司推出的车规级SGT MOSFETs产品，部分产品已在新能源车上实现车用，客...  [详内文]

GaN上车提速，纳微、英诺赛科等12大厂商谁跑得更快？

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 06 日 10:32 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
随着世界各地脱碳行动加速提上日程，电动汽车行业发展如日中升。尽管短期内，电动汽车的销量仍受疫情、地缘政治等不稳定因素的影响，但部分地区得益于供需关系改善，近期汽车行业产销两旺，如中国市场。 根据中国汽车工业协会数据显示，6月中国电动汽车渗透率为23.8%，产量和销售分别是59万辆...  [详内文]

多元化GaN设计，市场进入高速成长期

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 04 日 16:33 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
功率半导体市场持续成长 GaN最具爆发力 全球电力设备数量与规格不断提升，带动功率半导体需求持续成长，且在第三类半导体材料导入下，整体市场蓬勃发展；其中，全球GaN功率半导体市场规模预计从2021年1.1亿美元成长到2025年13.2亿美元，CAGR达86%。因基期较低，GaN成...  [详内文]

第三代半导体作为西部重点，深圳发展计划即将发布

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 30 日 17:30 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
深圳是中国重要的电子技术中心，多年来十分重视集成电路产业的发展，旨在培育产业集聚区，打通上下游产业链，形成产业协同联动效应。其中，第三代半导体作为近几年的新兴技术，也已经成为政府重点培育的产业之一，相关利好政策不断出台。 近日，深圳举办了2022中国（深圳）集成电路峰会，会上透露...  [详内文]

比亚迪投资了第三代半导体设备厂邑文科技

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 26 日 17:02 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
企查查官网显示，12月23日，无锡邑文电子科技有限公司（以下简称：邑文科技）发生工商变更，新增比亚迪等新股东，注册资本变更为1947.6655万元。 邑文科技成立于2011年3月，专注于半导体前道工艺设备的研发、制造，主要产品为刻蚀工艺设备和薄膜沉积工艺设备，应用于半导体（IC及...  [详内文]

应用材料将建下一代半导体设备研发中心

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 23 日 17:20 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
日前，应用材料宣布，计划在美国的创新基础设施上投资数十亿美元，并从现在到2030年扩大其全球制造能力。 该公司计划在加州森尼维尔建立下一代基础半导体技术和工艺设备研发中心，其规模将取决于政府的支持。这项投资计划于2023年初在硅谷启动。 此外，该公司还在对其全球各地的基础设施进行...  [详内文]

55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:24 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
近日，国家科技部公布了2022年国家重点研发计划立项资助名单。55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批。 “宽带射频功率放大器”项目基于第三代半导体GaN开展超宽带射频功率管的设计与制造研究，计划研究一套宽频带射频功率放大器，实现宽带射频功放在超高场磁共振的工程应用，为...  [详内文]

英诺赛科出货量破亿

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 16 日 16:41 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
据外媒报道，英诺赛科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出货量已突破1亿。 据化合物半导体市场了解，英诺赛科的8英寸晶圆产线自2019年开始大规模生产，并于2021年成为全球首家实现8英寸硅基GaN量产的企业，产能足以支撑全球市场对GaN FETs的强劲需求。2022年，英诺赛...  [详内文]

铭镓半导体在4英寸氧化镓晶圆衬底技术领域获突破

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
近期，北京铭镓半导体有限公司（以下简称：铭镓半导体）使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。 铭...  [详内文]