文章分类： 氮化镓GaN

涉及显示、三代半等，两部门公布2022年度重点产品方向

作者 | 发布日期: 2023 年 02 月 01 日 17:14 |
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| 分类: 氮化镓GaN
1月30日消息，工业和信息化部、国务院国资委近日印发通知，公布2022年度重点产品、工艺“一条龙”应用示范方向和推进机构名单，涉及显示、第三代半导体等相关领域。 其中，显示器件曝光机重点方向，参与单位包括上海微电子装备（集团）股份有限公司、京东方科技集团股份有限公司、TCL华星...  [详内文]

百思特达氮化镓项目进入产品试生产阶段

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 30 日 9:57 |
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| 分类: 氮化镓GaN
日前，辽宁百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百思特达”）氮化镓半导体芯片项目已进入产品试生产阶段。 据此前披露消息，项目于2019年11月开工建设，总投资3亿元，占地面积125亩，总建筑面积5万余平方米。其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车...  [详内文]

氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 19 日 14:09 |
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| 分类: 氮化镓GaN
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来被国内外相关企业持续关注和布局，相信这股热潮将会一路延续到2023年。 然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半...  [详内文]

美国国家仪器NI考虑出售

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 17 日 17:06 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据外媒报道，美国国家仪器有限公司NI（National Instruments Corp.）正在考虑出售。 图片来源：拍信网正版图库 根据1月13日的声明显示，NI已经请专家对一系列方案进行评估，也包含了解潜在收购方及其他交易伙伴的兴趣，其中，部分人已经接洽了NI。 除此之外，...  [详内文]

投资90亿新台币！台亚积极布局氮化镓

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 16 日 16:17 |
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| 分类: 氮化镓GaN
1月13日，投资中国台湾事务所召开“欢迎台商回台投资行动方案”联审会议，台亚半导体斥资近90亿台币扩大投资台湾的方案获通过。 根据投资方案，台亚半导体将在竹科厂房兴建无尘室，并增设智慧化产线、导入生产监控数位系统。此举是为了深耕氮化镓化合物半导体的研发与制造，并开拓全球市场。预计...  [详内文]

湖南三安：SiC出货量破亿，订单超65亿

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 13 日 16:49 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
根据湖南三安官方微信公众号消息，2022年，湖南三安车规级和工业级SiC功率半导体出货突破1亿颗，新进订单及长期供应协议累计金额超65亿。从产品应用来看，湖南三安的SiC产品已实现在汽车、工业、光伏等多个领域应用。 新能源汽车方面，湖南三安的SiC二极管产品已有7款产品通过AE...  [详内文]

Odyssey宣布Q1开始送样垂直GaN功率器件

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 11 日 17:26 |
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| 分类: 氮化镓GaN
2022年9月，美国GaN高压垂直功率开关器件供应商Odyssey Semiconductor Technologies Inc宣布完成1200V垂直GaN功率器件的开发目标，计划在第四季度开展样品开发等工作。 到了1月9日，Odyssey宣布650V、1200V GaN垂直产品...  [详内文]

年产10万片，辽宁将增加10条氮化镓外延生产线

作者 | 发布日期: 2023 年 01 月 10 日 17:26 |
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| 分类: 氮化镓GaN
日前，辽宁百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百思特达”）氮化镓半导体芯片项目传来新进展：该项目已进入产品试生产阶段。 据此前披露消息，项目于2019年11月开工建设，总投资3亿元，占地面积125亩，总建筑面积5万余平方米。其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及...  [详内文]