近日,西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片,这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
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据陈海峰教授介绍,氧化镓是一种超宽禁带半导体材料,具有优异的耐高压与日盲...  [详内文]
西安邮电大学成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片 |
作者 huang, Mia | 发布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:14 | | 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC |