文章分类： 氮化镓GaN

中国第一，韩媒发布氧化镓有效专利持有量排名

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 27 日 17:18 |
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| 分类: 氮化镓GaN
据韩媒报道，日前，韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。 根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，...  [详内文]

国内首条GaN激光器芯片量产线投产

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 27 日 17:12 |
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| 分类: 氮化镓GaN
3月22日，广西飓芯科技有限责任公司（以下简称：飓芯科技）GaN半导体激光器芯片量产线在柳州市北部生态新区举行投产仪式。 飓芯科技成立于2020年，是北京飓芯的全资子公司，主要从事科技推广和应用服务业，经营范围覆盖集成电路、半导体分立器件、显示器件、半导体照明等多个领域，具体包...  [详内文]

深圳宝安：锚定第三代半导体等产业，2025年产值破1200亿元

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 24 日 17:35 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，深圳宝安发布了《宝安区培育发展半导体与集成电路产业集群实施方案（2023—2025年）》（以下简称《方案》），明确提出到2025年，构筑具有全球影响力的车规级、人工智能、穿戴芯片产业创新集聚高地，实现产值突破1200亿元，增加值突破280亿元，培育5家以上产值超20亿元的企...  [详内文]

英诺赛科发布两款40V VGaN新品，均采用WLCSP封装

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 23 日 17:05 |
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| 分类: 氮化镓GaN
在消费类电子领域，氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及，大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而在手机内部，电源开关依然采用传统的硅MOSFET，其体积与阻抗的限制，不仅占据了手机主板的大量空间，且在面对大功率快充时，硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗，影响快充的稳...  [详内文]

又一GaN快充芯片企业上市，小米与OPPO加持

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 21 日 17:32 |
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| 分类: 氮化镓GaN
南芯科技近期公布首次公开发行股票并在科创板上市发行安排及初步询价公告。根据公告，此次于科创板IPO，南芯科技拟发行6353万股，占发行后总股本的15%。初步询价时间为3月21日，网下申购时间为3月24日，申购代码为787484。 作为国内电源管理芯片领域不可忽视的新秀，南芯科技在...  [详内文]

5000万元，SAW滤波器IDM企业声芯电子再融资

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 17 日 16:13 |
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| 分类: 氮化镓GaN
3月6日，苏州声芯电子科技有限公司（以下简称：声芯电子）宣布完成五千万元A++轮融资。 本轮融资由苏州人才基金二期、锦泰金鸿、源禾资本、江帆实业等共同投资，老股东东证资本追加投资，资金将主要用于南通及日照声表滤波器制造产线的产能扩建，达产后预计月产声表滤波器超过五千万颗。 图片...  [详内文]

直击2023亚洲充电展：英诺赛科、纳微等17家三代半龙头聚集

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 17 日 10:22 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月14日，为期三天的2023（春季）亚洲充电展在深圳正式开幕。现场展示和发布了数千款新品，覆盖电源芯片、功率器件、被动器件、新能源产品、消费类电源、智能化设备等领域。 据TrendForce集邦咨询化合物半导体市场了解到，此次展会，英诺赛科、基本半导体、纳微半导体、芯塔电子、P...  [详内文]

爱科思达第三代半导体设备研发制造基地项目签约落地

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 16 日 15:13 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月15日，火炬工业集团与深圳爱科思达科技有限公司（以下简称“爱科思达”）在举行“智能电源设备研发制造基地项目”签约仪式。 图片来源：中山火炬工业集团 据悉，爱科思达建设打造的智能电源设备研发制造基地项目，拟投资8亿元，达产后预计新增产值超10亿元，税收超5000万元。项目建成...  [详内文]

中国半导体设备供应商的2022

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 15 日 17:33 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
半导体设备市场，又泛起了波澜。 芯片制造实力被视为是未来全球半导体产业竞争的核心，而半导体设备作为芯片制造的关键，是近几年讨论的热门话题，尤其是随着美国对华制裁的推进，半导体设备领域更是被推上了风口浪尖。国际设备巨头相继开始弱化中国市场，以期减少美国的对华出口限制的沉重负担。 与...  [详内文]

罗姆确立新技术，更好地激发GaN等高速开关器件性能

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:22 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，罗姆（ROHM）宣布确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 Source：罗姆 近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。 在...  [详内文]