近日， 英诺赛科在慕尼黑上海电子展（Electronica China）和武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）上展出的氮化镓产品及解决方案，引发行业高度关注。
其中在数据中心领域，英诺赛科重点展示了双面散热 En-FCLGA 封装 100V GaN、全球首款100V 双向器件（VGaN）、大功率合封氮化镓 ISG6121TD、2kW四相交错Buck、4.2kW服务器电源方案以及在数据中心和人形机器人应用中的多款解决方案。
source：英诺赛科
英诺赛科公开介绍道， 其中一款100V GaN产品，全球首款量产，先进的双面散热 En-FCLGA 封装，与传统的封装相比，导热率高出 65%。
INV100FQ030C是英诺赛科全球首款100V 双向器件（VGaN），支持双向导通和双向关断，采用FCQFN4x6封装，具备超低导通电阻和更宽的SOA边界，可在48V BMS系统、48V总线负载开关中实现电池保护。
大功率合封氮化镓 ISG6121TD是一款行业首发的大功率合封氮化镓产品，集成了栅极驱动和短路保护的GaN功率IC，采用TO-247-4L封装，能够帮助设计人员开发具有 Titanium Plus 效率的高频开关方案，可应用于数据中心/AI服务器PSU，车载OBC和DC-DC转换器，实现功率密度比传统方案高2~3倍。
2kW四相交错Buck是2025年全新发布的方案，该方案采用四相交错Buck拓扑，每相使用1颗INS2002FQ和4颗INN100EA035A实现功率传输，具备灵活的拓展性，效率超98%。
4.2kW服务器电源方案是英诺赛科与客户合作开发，与传统电源相比，其轻中载电能损耗可减少至少30%，实现超过96%的转换效率。
此外，本月早些英诺赛科发布公告宣布其自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品已实现量产，这款1200V氮化镓（GaN）产品在新能源汽车800V平台，可提升车载充电效率并缩小体积，扩大续航里程并降低成本。
作为氮化镓技术领域的创新先锋，英诺赛科致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。此次多款突破性产品的集中亮相，不仅印证了氮化镓材料在高频、高效场景中的核心价值，更彰显了英诺赛科通过技术深耕推动产业升级的战略定力。
（集邦化合物半导体 niko 整理）