近日，德州仪器宣布推出全新集成式氮化镓（GaN）功率级系列，包括LMG3650R035、LMG3650R025和LMG3650R070。
该系列采用行业标准TOLL（晶体管外形无引线）封装，结合高性能栅极驱动器与650V GaN场效应晶体管（FET），可显著提升电源设计的功率密度和效率，适用于数据中心、工业电源及可再生能源等高需求应用场景。
source：德州仪器
德州仪器工业电源设计服务总经理Robert Taylor表示：随着数据中心对能源的需求日益增加，全球数字基础设施供电领域开始使用更智能、更高效的半导体，先进的芯片驱动着人工智能的计算能力，而模拟半导体则是提高能源效率的关键。我们创新的电源管理技术使数据中心能够减少其对环境的影响，同时帮助我们满足数字世界日益增长的需求。
新的功率级集成了高性能栅极驱动器与 650V GaN 场效应晶体管 (FET)，同时实现了高效率 (>98%) 和高功率密度 (>100W/in3)。这些器件还集成了先进的保护功能，包括过电流保护、短路保护和过温保护。这对于服务器电源等交流/直流应用尤为重要，因为设计人员面临着在更小空间内提供更大功率的挑战。
此前， 德州仪器基于氮化镓（GaN）的功率半导体已在日本会津工厂开始投产，加上已有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍，大幅增强了其供应链稳定性。
随着AI、云计算及5G技术的快速发展，数据中心对高能效电源的需求激增。德州仪器的GaN功率级系列可助力服务器电源、储能系统及电动汽车充电设备实现更高功率密度和更低能耗，从而降低运营成本并减少碳足迹。（集邦化合物半导体妮蔻整理）