近日，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利。
专利摘要显示，本发明涉及半导体激光元件技术领域，具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，上波导层与上限制层之间具有强布里渊光力耦合层；强布里渊光力耦合层的In/C元素比例具有函数y＝A+x‑1/2x第一四象限曲线分布；In/O元素比例具有函数y＝B+x‑1/2x第一四象限曲线分布；In/H元素比例具有函数y＝C+x‑1/2x第一四象限曲线分布；该氮化镓基化合物半导体激光器，能够降低激光光场耗散，抑制光场模式泄漏到衬底形成驻波，提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。