近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源车主驱逆变器的GaN解决方案。该方案基于其专利ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术，目标瞄准规模超百亿美元的电动汽车市场。革命性的 Combo ICeGaN® 方案通过将智能化的ICeGaN® HEMT与传统IGBT 组合并封装于同一功率模块，在实现效率最大化的同时，为碳化硅 (SiC) 解决方案提供了更具成本效益的替代选择。
CGD创始人兼CEO Giorgia Longobardi 博士表示：”当前新能源车主驱逆变器要么采用低成本但轻载效率低的IGBT，要么选择高性能但昂贵的SiC器件。我们全新的Combo ICeGaN 解决方案通过巧妙融合GaN与IGBT技术的优势，将彻底革新电动汽车产业——在降低系统成本的同时保持最优的能效水平，这意味着更快的充电速度与更长的续航里程。”（集邦化合物半导体整理）
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