近日，华灿光电在接受机构调研时称，公司目前已完成了650V GaN产品的小批量出样和测试，650V GaN MOSFET出样，性能可符合高频AC/DC PD 65W快充应用。
华灿光电表示，2022年，在自有外延方面，已启动6英寸蓝宝石衬底研发，初步完成650VGaN on Si for D-mode＆E-mode的外延片研发和流片。在器件方面，完成了650V GaN产品的小批量出样和测试，650V GaN MOSFET出样，性能可符合高频AC/DC PD 65W快充应用，为2023年产品全面上市推广奠定基础。
华灿光电十五年聚焦GaN在LED领域的技术研发，并于2020正式进入氮化镓基电力电子器件领域，产品主要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备，云计算大数据服务器中心、通信及汽车应用等领域。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨询特在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”。
届时，华灿光电氮化镓电力电子研发总监邱绍谚将出席，给大家带来《GaN功率器件创新应用市场前景分析》主题演讲，同场还有更多“重量级”嘉宾，给大家进一步剖析第三代半导体的现状和未来。
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