据韩媒报道，日前，韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。
根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，日本拥有专利313件，两国专利数量占总数的50%以上。2021年9月至2022年11月新增的460件专利中，大部分来自中国（240 件）和日本（87件）。
AnA Patent专利代理人表示，“仅过了1年零2个月，氧化镓功率半导体元件相关专利数就增加了50%左右，世界各国的专利确保动向非常活跃。虽然不能仅凭专利就讨论实际技术能力，但值得关注的是，中国和日本申请了大量专利。”
氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。
图片来源：拍信网正版图库
今年以来，我国在氧化镓领域突破不断。
2月，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。
同月，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。
3月，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。（文：集邦化合物半导体 Doris整理）
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