12月6日，GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布与特殊芯片代工厂世界先进（VIS）签订了一项GaN功率半导体多年生产协议。根据协议，EPC公司将从2023年初开始使用世界先进的8英寸晶圆制造平台，生产高性能GaN晶体管和GaN功率IC。
据介绍，EPC的GaN器件以高性能、小型化、易用、可靠性、高性价比等为特点，在世界先进代工厂8英寸产线制造的产品将满足数据中心、电动汽车、太阳能逆变器、机器人及空间系统等应用领域对GaN功率器件的需求。
从第三代半导体的角度看功率半导体应用的需求，今年以来，电动汽车和光伏逆变器两大领域活跃度很高，对GaN、SiC的关注度持续攀升。就GaN来看，车规级GaN从技术研发到市场开拓再到上车应用，市场不断传来好消息。在光伏逆变器领域，GaN的表现也不俗，已经正式导入光伏微型逆变器应用，而EPC便是这一项目的GaN器件供应商。
据当时消息显示，德国光伏企业Solarnative在其新型微型逆变器中采用了EPC的GaN器件，可实现很高的功率密度，开关频率达2MHz。
在电动汽车赛道，EPC公司也在快跑中。为更好地利用GaN技术人才和资源，EPC公司已在意大利都灵（Turin, Italy）设立了电机驱动设计中心，瞄准电动出行、机器人、无人机及工业自动化等应用市场，此举既有利于其及时把握欧洲能源危机背景下的商机，开拓欧洲市场，也有利于其更好地利用当地技术人才和资源，加快产品研发和商业化的进程。
从GaN技术本身来看，未来，更大尺寸、更高压器件的需求量将不断增高。本次与世界先进合作，EPC公司有望借力世界先进的GaN生产平台，显著扩大GaN器件的产能。后续，EPC公司将从产品、技术、产能等多维度满足GaN功率半导体市场不断增长的需求。（文：集邦化合物半导体Jenny）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。