8月29日，为期三天的PCIM Asia 2023上海国际电力元件、可再生能源展览会在上海新国际博览中心盛大开幕。
展览范围包括功率半导体、集成电路、被动元件、电磁及磁性材料、散热管理、传感器、装配和子系统、电气传动、功率转换器、电能质量和储能、测量和测试、软件开发、信息及服务等，为各领域的行业人士提供了交流技术以及分享产业最新发展趋势的平台。
据TrendForce集邦咨询化合物半导体研究中心了解到，此次展会，三菱电机、英飞凌、罗姆、安森美、富士电机、中车、东芝、Power Integrations、赛米控-丹佛斯等业内领先企业在会上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为核心的最新研发成果和先进技术，面向工业、能源、汽车和消费电子等领域。
三菱电机
此次展会现场，三菱电机重点展示了用于工业新能源、轨道交通、电动汽车、家用电器等领域的功率半导体解决方案。
三菱电机目前正在开发下一代电动汽车专用功率模块。该系列模块拥有1300V和750V两个电压等级，分别采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技术。同时该系列模块将采用三菱电机擅长的压注模工艺，在保证可靠性的同时，大大提升生产效率。
三菱还展示了高频用混合SiC模块等产品，有助于小型化轻量化，同时低电感封装有助于减小浪涌电压。
英飞凌
英飞凌本次设立了“绿色能源与工业”、“电动交通和电动出行”、“智能家居”三大主题展区，展示相应的功率半导体和宽禁带技术方面的最新解决方案。
在电动交通和电动出行展区，英飞凌展示了HybridPACK™ Drive产品系列、CoolGaN™ SG HEMT开关等。在绿色能源与工业展区，英飞凌展示了用于风光储系统的多种解决方案，包括用于光伏发电的2000V 60A EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET 3B碳化硅模块和45A三电平Boost MPPT模块等。
罗姆
针对日益增长的中国市场需求，罗姆本次重点展示了最新的SiC和GaN产品解决方案。
SiC方面，罗姆带来了面向车载应用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列产品展示以及8英寸SiC衬底。罗姆在SiC功率器件和模块的开发领域处于先进地位，其先进的SiC MOSFET技术实现了业界领先的低导通电阻，充分地减少了开关损耗。
GaN方面，罗姆分别展示了150V和650V的GaN HEMT，同时还推出了EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，该产品集GaN HEMT和栅极驱动器于一体，使GaN器件轻轻松松即可实现安装，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积。
安森美
本次展会上，安森美重点展示了其完全垂直整合的SiC生态系统，从基本的原材料到完整封装的SiC器件的交付。
具体来看，本次安森美展示了1200V M3S EliteSiC MOSFET、全新半桥1200V EliteSiC PIM、以及用于光储充市场的功率集成模块、用于电动汽车主驱逆变器的VE-Trac系列等等。
功率器件作为光储充系统的核心器件，安森美现场展示了为上能电气、古瑞瓦特实现商用与住宅光储充一体化系统的关键技术，提供涵盖低、中、高功率范围的功率集成模块（PIM），实现高能效、高可靠性的逆变器设计。
东芝
东芝本次主要面向风力发电、牵引、电力输配电、工业变频器等领域的应用，推出相应的功率器件解决方案。
本次东芝展出产品包括双栅极RC-IEGT、大功率器件IEGT、IEGT PPI Stack、全SiC模块、智能功率器件、车载分立器件以及分立器件封装产品线。
对于SiC产品，东芝本次重点展出1700V和3300V的SiC模块MG400Q2YMS3和MG800FXF2YMS3，这两款产品是更小、更高效的工业设备的理想选择。
富士电机
富士电机一直是全球功率半导体主流供应商之一，其本次展示了丰富的产品线。
第二代1200V/1700V全SiC模块是富士电机本次的重点展示产品。封装主端子部分采用层压结构，降低了内部电感。另外模块的封装外形继续保持了与传统的硅模块的封装兼容，避免客户在系统结构上做重新设计，节省开发资源。
中车
中车本次携多款功率半导体器件及模块、传感器产品隆重亮相PCIM Asia，致力于展现中国“芯”的智慧力量，并为清洁能源的变换与高效利用提供领先的传感测量解决方案。
中车本次展示了最新的SiC模块及芯片，芯片采用第三代SiC MOSFET、体二极管续流，电压等级覆盖750V~3300V，比导通电阻最低可到3.2mΩ·cm2。模块采用AlSiC基板设计，高性能导热材料，进一步提高模块功率密度，满足汽车、OBC、DC/DC、光伏、轨道交通等复杂应用工况需求。
赛米控-丹佛斯
赛米控-丹佛斯是全球电力电子领域的技术领导者，本次展出产品包括功率模块和系统等。
DCM1000X SiC功率模块是本次赛米控-丹佛斯的重点展品之一，其耐压从原来DCM1000的900V提高到了1200V。DCM1000X通过将先进的封装设计与最新的SiC MOSFET相结合，证明了自己是下一代电动汽车牵引逆变器的卓越模块平台。
宏微科技
宏微科技本次携带全产业链产品及解决方案参展亮相，产品覆盖工业，光伏储能以及新能源汽车相关方向的全域功率半导体领域。
宏微科技主要从事IGBT、VDMOS、FRED等芯片及分立器件、模块的设计、研发、制造和销售，本次其带来了最新的SiC二极管和MOSFET产品。
天域半导体
天域半导体是全球领先的SiC外延片供应商，本次其重点展示了6/8英寸SiC外延片产品。
天域半导体是我国SiC领域少数具备国际竞争力的企业之一，以先进的SiC外延生长技术为客户提供优良产品和服务，并持续加码大尺寸SiC外延生长技术研发，积极布局8英寸SiC产线。
瞻芯电子
瞻芯电子是专注于SiC技术的功率半导体供应商，本次分享了最新的SiC功率半导体产品。
具体产品包括最新的第二代650V/1200V和1700V SiC MOSFET、隔离型驱动IVCO1A0x、图腾柱PFC控制芯片IVCC1104等。同时，瞻芯面向不同应用场景开发了多种应用方案，比如20kW 三相PFC、11kW SiC三相电机驱动、2500W 图腾柱PFC电源、200W 1000V反激电源，以及双脉冲测试等辅助测试设备，为客户朋友提供高效的参考设计。
赛晶科技
赛晶科技在本次PCIM Asia展上正式发布了为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
赛晶科技还展示了第二款SiC模块 – EVD封装SiC模块。该款产品采用乘用车领域普遍采用的全桥封装。通过内部优化设计，具有出色的性能表现。与业界头部企业相同规格封装模块对比，赛晶EVD封装SiC模块的导通电阻低10%至30%，连接阻抗低33%，开关损耗相近或者更低。
IVWorks
IVWorks是一家从事宽禁带半导体外延片产品及相关服务的公司，公司致力于成为一家拥有智能化生产和材料技术的独创型企业。
本次IVWorks主要展示了6、8英寸的硅基GaN外延片等产品。IVWorks曾在去年收购了法国材料制造商圣戈班（Saint Gobain）的GaN衬底业务，借此在大功率应用领域提供GaN-on-GaN外延片来扩大产品组合。
派恩杰
派恩杰半导体本次携全品类SiC器件、模块及应用技术亮相了PCIM Asia。
派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的SiC二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块和GaN HEMT产品，量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用。
镓未来
本次展会上，镓未来携最新的高压D-mode GaN功率器件以及系列应用方案隆重亮相。
目前镓未来可向客户提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等贴片封装以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封装全系列产品。同时，镓未来可提供涵盖小中大功率段的全线GaN应用方案，产品覆盖PD快充适配器、电动工具充电器、储能双向逆变器等诸多场景。
士兰微
士兰微本次携高能效IGBT器件、高压大功率模块、高功率SiC器件等系列产品亮相展会。
士兰微针对光伏、汽车等应用的SiC产品系列具有更高的参数一致性，更低的失效不良率，从而满足高端客户需求。据了解，其SiC MOSFET汽车主驱模块已通过部分客户测试，有望在今年实现批量生产和交付。
瑞能半导体
瑞能半导体在本次展会上展示了全新的功率半导体实践应用。
瑞能半导体SiC二极管产品已完成六代产品开发，拥有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET产品已实现业内最低比导电阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2，目前瑞能半导正在进行第三代trench gate产品开发。另外，由瑞能半导体全资控股的模块生产工厂瑞能微恩模块工厂已在近期正式投入运营。
Soitec
Soitec是设计和生产创新性半导体材料的全球领先企业，以其独特的技术和半导体领域的专长服务于电子市场。
凭借深耕SmartCut™ 工艺三十年的专业积淀，Soitec推出了全新的颠覆性优化衬底 SmartSiC™，为晶圆电气性能、供应链生产力以及器件功率密度带来了全新解决方案。与传统SiC衬底相比，Soitec专利的SmartSiC™衬底可降低 75% 温室气体排放。
安世半导体
本次展会上，安世半导体展示了最新的功率半导体器件及晶圆产品。
安世半导体在今年推出了650V SiC肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用，并计划不断增加SiC 二极管产品组合，包括工作电压为650V和1200 V、电流范围为6~20 A 的和车规级器件。同时，安世半导体已经推出了三代650V GaN场效应晶体管，将晶体管封装技术引入到氮化镓技术中，并在不断的根据市场需求，降低成本，提高性能。
扬杰科技
扬杰科技本次携带硅晶圆、IGBT、SiC、可控硅等产品首次亮相PCIM Asia展。
扬杰科技此次重点展出了IGBT系列产品，包括650V 50A/75A/100A IGBT单管，160A/200A/400A/450A/650V IGBT三电平模块，相关系列产品与市场主流产品完全pin to pin兼容替代应用，并第一次展出新能源汽车主驱的HP1/HPD模块。
同时，扬杰科技还展示了全系列SiC产品，重点展示SiC MOSFET，电压等级覆盖650V/1200V/1700V，导通电阻覆盖20~1000mΩ，可应用于新能源汽车统OBC和DC/DC，光伏储能逆变器，充电桩和工业电源等应用。
纳芯微
纳芯微在本次展会现场全面展示了其在传感器、信号链、电源管理三大方向的创新产品和解决方案。
纳芯微具体展出产品包括电流传感器、数字隔离器、接口、隔离采样、隔离电源、栅极驱动、电机驱动，以及其SiC系列产品等。纳芯微在今年推出了专为光伏、储能、充电等工业场景而设计的1200V系列SiC二极管产品，同时也在积极开发和验证车规级1200V SiC MOSFET产品。
希科半导体
本次展会上，希科半导体展示了自有高品质6英寸SiC外延片。该公司凭借业内先进的高品质量产工艺和最先进的测试设备，为客户提供低缺陷率和高均匀性要求的6英寸导电型SiC外延片，目前已对十余个业内标杆客户完成送样并实现了采购订单。
百识电子
百识电子在本次展会上重点展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。
百识电子是在南京设立研发总部和制造工厂的专业团队，其可提供4/6英寸的SiC外延片服务，以及6/8英寸的硅基氮化镓和4/6英寸的碳化硅基氮化镓外延片服务。除了标准规格外延片，百识电子亦可针对特殊应用市场需求，提供客制化规格外延服务及器件开发所需的关键制程。
Power Integrations
PI本次携带数款门极驱动、汽车电子、电机驱动产品参展，展示了他们在功率半导体的全面方案以及强硬的实力。
PI能够提供一个高集成度的方案，将功率器件和保护机制都集成在一个轻薄的封装里面，实现高集成度无散热片的工业的或者是家电的电机驱动方案。同时，PI提供了相对应的软件包，方便快速实现无传感器的电机控制设计，便于软件工程师能够快速高效地实现软件开发，为电机驱动测试带来极大的便利，极快地完成产品设计，实现高集成度高效的电机驱动解决方案。
AOS
本次展会上，AOS展出了应用于新能源汽车、电力电源、电机驱动IC、计算机系统方案以及家电等的相关产品及技术。
其中包括最新高压超结MOSFETs、热插拔MOSFETs、αSiC MOSFETs、IMVP多相控制芯片以及符合PD3.1规范的Type C负载开关。
AOM033V120X2Q采用优化的TO-247-4L封装，符合AEC-Q101标准的新型1200V SiC MOS管（αSiC MOSFET）。这款1200V SiC MOS管为可接受15V标准栅极驱动器的TO-247-4L车规封装，并提供行业内领先的最低导通电阻，满足电动汽车（EV）车载充电机、电机驱动逆变器和车载充电桩的高效率和可靠性要求。
翠展微电子
翠展微电子本次主要展出了IGBT、SiC功率模块产品。
翠展微电子是一家以车规级功率模块为核心，同时覆盖光伏、储能、电网、工控领域的功率半导体设计生产厂家，主要产品有IGBT单管/模块、SiC单管/模块，以及汽车软件一站式工具链解决方案等。
在车规功率模块领域，翠展微电子产品基本涵盖了国内车规功率模块封装需求和电流规格，主要封装包括HP1、DC6、DC6I、HPD、Econodual系列、TPAK及TO-247PLUS系列等，可满足250KW以内新能源汽车主驱的应用需求。
CGD
CGD是一家专注于GaN技术的无晶圆厂设计公司，本次展示了其独有的高能效GaN解决方案。
CGD 本次在中国首推其第二个易用可靠的 ICeGaN™ GaN HEMT 产品系列。CGD H1和H2系列是单芯片增强模式HEMT，具有3V阈值电压、真正的0V关断，以及可在高达20V电压下工作的革命性栅极方案。无级联、无复杂多芯片配置、无复杂热集成解决方案：嵌入式专有逻辑单芯片，可与标准栅极驱动器或控制器配对。此外，CGD展出了最新的评估板，包含65W QRF评估板、1.6kW LLC评估板、3kW 光伏逆变器和USB PD参考设计。
新微半导体
新微半导体本次携丰富的硅基GaN功率产品平台精彩亮相PCIM Asia。
新微半导体展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高压GaN功率器件工艺平台系列展品，并重点展示了面向不同终端应用领域的外延制造和晶圆代工产品以及先进的技术解决方案。
合盛新材
合盛新材本次携带最新的6英寸SiC衬底产品亮相本次展会。
合盛新材是由上市公司合盛硅业股份发起成立并控股，业务涵盖SiC衬底及外延的研发，生产与销售。目前合盛新材料正在建设导电型6英寸SiC衬底与外延片产线，已实现投资规模超过10亿元。
芯长征
芯长征本次分别展示了IGBT、MOSFET、SiC等产品。
在汽车领域，芯长征重点展示其针对商用车主驱开发的1200V 450A/600A EconoDUAL3 IGBT模块、针对乘用车主驱开发的750V 820A HPD IGBT模块及750V 400A/600A HybridPACK 1 模块及1200V 40/80mΩ的SiC MOS产品。
忱芯科技
忱芯科技本次展示了动态特性测试系统与动态可靠性测试系统DEMO。
忱芯科技提供SiC/GaN、IGBT功率半导体器件实验室版与产线版全系列ATE测试系统，实现功率半导体器件前道、后道到应用级测试全覆盖。目前，忱芯科技SiC ATE设备已实现批量出货，成功交付功率半导体IDM企业、芯片设计公司、功率器件封装公司与新能源车厂及Tier1企业。
安建半导体
本次展会上，安建半导体展示了IGBT、SiC、SGT-MOS、SJ-MOS四类全新产品。
SiC方面，安建半导体本次展示了650V/1200V的SiC二极管和MOSFET。安建半导体总部位于浙江宁波，并在宁波自建了模块封装工厂——吉赛半导体。
功成半导体
功成半导体本次携高效的功率器件组合产品及应用方案亮相PCIM Asia。
本次功成半导体展出产品主要包括六大类：Elite MOSFET(SGT)、Elite MOSFET(SJ)、高压高频IGBT、SiC SBD & MOSFET、GaN HEMT以及IPM智能功率模块。
特励达力科
特励达力科是高端示波器、协议分析仪和其他测试仪器的领先制造商，可快速全面地验证电子系统的性能和合规性，并进行复杂的调试分析。
特励达力科的宽禁带半导体测试系统包含DL-ISO高压光隔离探头、功率器件分析软件和12bit高精度示波器。DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，与力科 12 位高精度示波器 (HDO) 相结合，可获得 1.5% 的系统精度，几乎是市场上替代解决方案的两倍。同时可提供丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
悉智科技
悉智科技本次携多款应用于电动汽车、工业场景的功率模块产品亮相PCIM Asia。
悉智科技当前产品聚焦在智能电车和清洁能源的功率与电源塑封模块创新领域，拥有国内最先进的车规级塑封产线和性能测试（包括系统级）&可靠性测试&失效分析实验室。
华太电子
本次展会上，华太电子展示了SiC、IGBT等功率半导体产品，。
华太电子主要从事射频/功率产品、高端散热材料的研发、生产与销售，并提供大功率封测业务，产品可广泛应用于通信基站、光伏发电与储能、半导体装备、智能终端、新能源汽车、工业控制等大功率场景。
此外，其他参展厂商还包括韩国功率半导体展团，以及芯源新材料、先进连接技术、MacDermid Alpha、DOWA、铟泰、贺利氏、京瓷等封装材料厂商。（文：集邦化合物半导体 Matt）
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