5月16日，为期三天的SEMI-e第五届深圳国际半导体技术暨应用展览会在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大开幕。
本届展会以“芯机会 智未来〞为主题，涵盖6大特色展区，包括电子元器件、IC设计&芯片、晶圆制造及封装、半导体设备、半导体材料、第三代半导体，为各领域的行业人士提供了交流技术以及分享产业最新发展趋势的平台。
据TrendForce集邦咨询化合物半导体研究中心了解到，此次展会，天域半导体、瀚天天成、烁科晶体、普兴电子、Aixtron、镓未来、纳设智能、能华微、聚能创芯&聚能晶源、百识电子、晟光硅研、恒普科技、氮矽科技、汉骅半导体等业内领先企业在会上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为核心的最新研发成果和先进技术，面向工业、能源、汽车和消费电子等领域。
天域半导体
此次展会现场，天域半导体重点展示了4/6英寸SiC外延片产品，及其子公司南方半导体的SiC功率器件/模块产品。
天域半导体是全球SiC外延片的主要生产商之一，以先进的SiC外延生长技术为客户提供优良产品和服务，并持续加码大尺寸SiC外延生长技术研发，积极布局8英寸SiC产线。南方半导体则专注于半导体元器件及解决方案，涵盖了功率半导体集成电路、晶体、芯片及检测中心等众多领域。
烁科晶体
作为国内SiC衬底领先厂商，烁科晶体此次重磅展示了6/8英寸的导电N型和半绝缘型SiC衬底。
烁科晶体在国内率先突破8英寸导电N型SiC单晶衬底制备工艺技术，并已实现小批量销售。目前公司已通过自主创新和自主研发全面掌握了SiC生长装备制造、高纯SiC粉料制备工艺，导电N型和高纯半绝缘SiC单晶衬底的制备工艺，形成了SiC粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。
普兴电子
本次展会上，与烁科晶体同属于中电科半导体材料旗下的普兴电子展示了最新的6/8英寸SiC外延片产品。
普兴电子致力于高性能Si/SiC半导体材料的外延研发和生产，是国内最大的Si外延材料供应商之一。在SiC方面，普兴电子正在规划年产36万片6英寸SiC外延产品的生产项目，助力我国在新能源汽车领域的发展。
镓未来
镓未来本次展出了最新的高压D-mode GaN功率器件以及系列应用方案。在众多产品中，镓未来特别展示了用于高效率高功率密度数据中心服务器电源解决方案的TOLL封装GaN器件，TOLL封装氮化镓器件转换效率高，助力能源利用的可持续发展。
在解决方案方面，其主要展示了65W、140W PD快充方案，200W小体积适配器方案，以及700W无桥图腾柱高效率LED驱动电源方案。
瀚天天成
作为全球知名的SiC外延片生产商，瀚天天成在本次展会中主要展示了6/8英寸SiC外延片产品。
瀚天天成当前已实现600V~3300V SiC功率器件车规级外延片的批量生产，全球用户已超过140家。瀚天天成与厦门大学等单位产学研合作，成功实现基于国产衬底的8英寸SiC同质外延生长。
AIXTRON
AIXTRON在本次展会上推出了G10-SiC 外延系统，大量被业内顶级客户用于6/8英寸SiC晶圆外延材料生长。
AIXTRON是半导体产业领先的沉积设备供应商，其产品在全球范围内被广泛的客户用于生产基于化合物或有机半导体材料的电子和光电应用的高性能组件。
这些器件主要用于各种创新应用、技术和行业，例如LED和显示技术、数据传输、传感器技术、能源管理和转换，通信，信号和照明技术以及许多其他要求苛刻的高科技应用。
纳设智能
纳设智能在展会上向观众介绍了自主研发生产的SiC外延设备。
纳设智能致力于SiC外延设备、石墨烯等先进材料制造装备的研发、生产、销售和应用推广，公司自有SiC外延设备具有工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低等特点，产品从一代机更新到二代机，稳定性、可靠性大幅度的提升，目前二代机型已经在批量生产与交付。
能华半导体
能华半导体本次展示了基于自身CoreGaN方案的产品布局。根据PD快充方案电路的特点，CoreGaN产品提高了阈值电压，相比市场上已有的增强型器件有更优的性能和可靠性。
能华半导体是一家专业设计、生产和销售以GaN为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件的高新技术企业。该公司GaN产品线涵盖外延片、功率场效应管、集成功率器件以及芯片代工等。公司产品技术参数在行业中处于领先地位，各类产品已实现规模化生产，并拥有一批国内外知名客户。
恒普科技
恒普科技提供SiC相关的设备及材料解决方案，包括感应式/电阻加热式长晶设备与6英寸外延设备。材料方面提供碳化钽涂层服务以及多孔石墨等长晶耗材。
恒普科技本次在现场展示了多孔石墨，碳化钽涂层，与实验晶锭。
聚能创芯&聚能晶源
本次展会上，聚能创芯&聚能晶源联合展示了8英寸硅基氮化镓外延片、GaN功率器件及相应的GaN应用方案，为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的纯国产GaN材料、器件与应用技术解决方案。
聚能创芯和聚能晶源为赛微电子旗下子公司，旨在联合打造全球领先的从设计、外延，到芯片制造和器件应用的GaN功率器件IDM企业。
希科半导体
本次展会上，希科半导体展示了自有高品质6英寸SiC外延片。该公司凭借业内先进的高品质量产工艺和最先进的测试设备，为客户提供低缺陷率和高均匀性要求的6英寸导电型SiC外延片，目前已对十余个业内标杆客户完成送样并实现了采购订单。
汉骅半导体
本次展会中，汉骅半导体推出了多系列硅基/蓝宝石基GaN外延片方案，应用于功率电力电子、微波射频与LED。
汉骅半导体致力于化合物半导体核心材料的研发及产业化，其独有的硅基/蓝宝石基红、绿、蓝全色氮化镓外延技术，可广泛应用于新一代高端显示领域，可在晶圆层实现硅基集成电路与III-V化合物半导体器件的高密度常温混合集成。另外，硅基氮化镓电力电子外延产品覆盖了增强型外延和耗尽型外延全应用领域，适用于30伏至900伏。
百识电子
百识电子在本次展会上重点展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。
百识电子是在南京设立研发总部和制造工厂的专业团队，其可提供4/6英寸的SiC外延片服务，以及6/8英寸的硅基氮化镓和4/6英寸的碳化硅基氮化镓外延片服务。除了标准规格外延片，百识电子亦可针对特殊应用市场需求，提供客制化规格外延服务及器件开发所需的关键制程。
森国科
森国科此次展示了650/1200V SiC二极管以及1200V SiC MOSFET产品。
森国科主要从事功率器件、模块，功率IC产品的研发，其功率器件产品主要包括碳化硅二极管、MOSFET，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。
合盛新材料
本次展会上，合盛新材料向观众介绍了6英寸SiC晶锭、衬底、外延片的解决方案，目前该公司正在宁波建设6英寸导电型SiC衬底与外延片产线，已实现投资规模超过10亿元。
平创半导体
平创半导体深耕电力电子半导体行业，本次携多种功率器件产品亮相展会。SiC产品方面，主要展出了650V~1200V SiC二极管、MOSFET以及功率模块，产品与技术已被广泛应用于新能源汽车、高端白色家电、充电桩、光伏、储能等领域。
誉鸿锦
誉鸿锦本次展出了GaN材料外延、功率电子器件、光电器件等系列产品。
该公司业务涵盖GaN材料外延到芯片模组的全产业链研发生产能力，主要产品有高性能肖特基二极管（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、射频/功率放大器（RF PA）、深紫外发光二极管（UVC-LED）等，这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。
宇腾电子
宇腾电子在本次展会上向观众介绍了GaN外延产品，该公司目前可提供6/8英寸硅基氮化镓外延片、4/6/8英寸碳化硅基氮化镓外延片、4/6英寸蓝宝石基氮化镓外延片等通用规格及客制化规格，公司在HEMT结构的外延技术可提供D-mode和E-mode两种工艺，同时支持功率和射频领域的应用。
晟光硅研
本次展会上，晟光硅研带来了“微射流激光先进技术”最新应用成果，该技术已经成功完成6英寸SiC晶锭的切割，可实现高效率、高质量、低成本、低损伤、高良品率SiC单晶衬底制备，吸引业界所关注。
氮矽科技
氮矽科技向观众介绍了其独特的GaN开关管、驱动芯片以及快充方案。
该公司拥有来自成都矽能科技和核心技术合作伙伴“电子科技大学功率集成技术实验室”的全力支持，目前已推出多款合封氮化镓产品即PIIPTMGaN。Multi-die封装集成具有高可靠性、低寄生参数、占板面积小、布局灵活等特点，并且提供多种封装，供客户选择。
英嘉通
英嘉通在本次展会上推出了GaN、SiC功率器件系列产品。
该公司着力于D-mode/Cascode GaN器件设计，目前已推出多款成熟的650V GaN功率产品，器件成本竞争优势明显，技术种类齐备，已经得到市场广泛的认可，为不同的功率应用场景提供最简单、经济、高效的解决方案。同时，其SiC SBD、MOSFET 全系列产品于2022年进入市场，全国产的产业链以及自主可控的器件、工艺技术，大幅降低器件成本。
结语
除了以上厂商外，铼微半导体等第三代半导体厂商亦有相关产品展出等，同时有优晶光电、顶立科技、岚鲸光电、汉虹精密机械、中科汉达等厂商展示了SiC生长设备、辅助材料等产品。（文：集邦化合物半导体 Matt）
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