据国家知识产权局公告，湖南三安半导体有限公司（下文简称湖南三安半导体）获得名为“半导体器件”专利授权，授权公告日为9月15日，授权公告号为CN219696448U。 source:国家知识产权局 根据摘要可知，该申请公开了一种半导体器件，属于半导体技术领域。 半导体器件包括芯片...  [详内文]

9月19日，三安集成官方公众号发文称，公司基于自研键合多层压电衬底技术，在新材料及新建模的基础上，推出HP-SAW滤波器系列产品。 滤波器通过电容、电阻、电感等元件组合来滤除特定频率外的信号，起到保留特定频率的功能。其作为选频过滤功能实现的重要器件，可以保障通讯链路在“特定工作频...  [详内文]

拓荆科技作为国内薄膜沉积行业领军者，其产品线包括离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三大系列。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。 近期接受调研表示，公...  [详内文]

东科半导体官方公众号发文称，9月15日，东科半导体（安徽）股份有限公司与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。由北京大学科学研究部谢冰部长及马鞍山市委书记袁方共同为北大-东科联合研发中心揭牌。 source:东科半导体 北京大学集成电路学科作为我国第一个半导体...  [详内文]

9月15日，长电科技在互动平台表示，公司封装的第三代半导体器件，已经应用于汽车，工业储能等领域并进入产能扩充阶段。 预计2024年起相关产品营收规模有望大幅增长，并在未来几年显著成长，将有利促进第三代半导体器件在全球应用市场上的快速上量。 图片来源：拍信网正版图库 根据Tren...  [详内文]

近日，中国科学院深圳先进技术研究院（下文简称“深圳先进院”）光子信息与能源材料研究中心（下文简称“研究中心”）与深圳市纳设智能装备有限公司（下文简称“纳设智能”）成立了先进材料联合实验室，推进产学研深度融合。 院企强强联合 据了解，研究中心成立于2008年，专注于高性能多元化合物...  [详内文]

9月12日，比亚迪股份有限公司获得“一种沟槽型半导体器件及其制造方法”专利授权，其授权公号为CN114122122B。 根据专利摘要可知，此发明属于电气元件领域，特别是涉及一种沟槽型半导体器件及其制造方法。 沟槽型半导体器件包括半导体基板、漏电极区、栅电极区、源电极区和绝缘栅介质...  [详内文]