文章分类： 企业

募资6.6亿，材料厂商龙图光罩即将上市

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 05 日 15:24 |
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| 分类: 企业
1月3日，证监会披露了关于同意深圳市龙图光罩股份有限公司（以下简称：龙图光罩）首次公开发行股票注册的批复，同意龙图光罩科创板IPO注册申请。 据悉，龙图光罩主营半导体掩模版的研发、生产和销售，是国内稀缺的独立第三方半导体掩模版厂商。目前，龙图光罩半导体掩模版的工艺节点已从1μm逐...  [详内文]

供货三安，石金科技募资3.5亿投资SiC等领域

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 05 日 13:40 |
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| 分类: 企业
2023年12月28日，新三板企业深圳市石金科技股份有限公司（以下简称：石金科技）发布公告称，公司向特定对象发行股票的注册申请已获批复同意。 募资3.5亿扩产能 石金科技专业从事石墨及碳素产品应用研发、设计、生产、销售及技术服务，主要产品包括保温隔热用碳毡、C/C复合材料、光伏单...  [详内文]

乾晶半导体与中宜创芯签署战略合作协议

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 04 日 17:00 |
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| 分类: 企业
1月2日，平煤神马集团党委书记、董事长李毛带队考察了乾晶半导体和浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院。浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院首席科学家杨德仁和乾晶半导体董事长皮孝东等接待了李毛一行，介绍了浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院在碳化硅（SiC）材料研究方面...  [详内文]

出资2250万欧元，X-FAB拟收购MOSFET公司

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 04 日 16:47 |
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| 分类: 企业
近日，SiC晶圆代工龙头X-FAB发布公告称，公司计划出资2250万欧元（折合人民币约1.76亿元）收购M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited（以下简称M-MOS）的全部股份。 据介绍，M-MOS是一家专注于MOSFET技术开发的无晶圆厂（Fa...  [详内文]

台系GaN企业鸿镓科技打进日系供应链

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 04 日 16:45 |
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| 分类: 企业
鸿镓科技专注于氮化镓（GaN）研发技术，提供节能省电的功率半导体组件与终端产品。深耕布局日本GaN快充市场、为中国台湾地区首家打入要求严格的日商供应链公司; 研发技术也获得电源大厂环隆科技所采用。鸿镓科技提供的65W GaN快充，通过了日本PSE认证。鸿镓科技亦积极布局半导体领域...  [详内文]

矽芯微电子获数千万元Pre-A轮融资

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 03 日 18:10 |
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| 分类: 企业
近日，安徽矽芯微电子科技有限公司（以下简称矽芯微电子）获得数千万元Pre-A轮融资，嘉睿资本为本次融资投资方。矽芯微电子本轮融资资金将用于加大研发投入，加快技术产品的创新和升级，加强市场拓展能力。 图片来源：拍信网正版图库 资料显示，矽芯微电子成立于2017年3月，公司采用Fa...  [详内文]

1.25亿，校企联手瞄准GaN

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 03 日 17:45 |
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| 分类: 企业
2024年1月2日，据外媒消息，亚利桑那州立大学 (ASU) 与恩智浦半导体公司（下文简称“恩智浦”）签署了协议，双方将在封装领域建立新的合作伙伴关系。在亚利桑那州商务局的支持下，亚利桑那州立大学获得了1750万美元（折合人民币约1.25亿元）的投资。 据介绍，亚利桑那州立大学此...  [详内文]

4.2亿元，苏州纳米城第三代半导体产业基地项目交付

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 03 日 9:52 |
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| 分类: 企业
12月29日，苏州纳米城举行国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目企业总部工程的竣工暨交付仪式。 source:苏州纳米城 苏州纳米科技发展有限公司党委书记、董事长张淑梅在致辞中表示，本次竣工的国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目企业总部工程隶属独墅湖科教...  [详内文]

华润微：SiC和GaN晶圆线均已稳定量产

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 02 日 18:00 |
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| 分类: 企业
近日，华润微在接受调研时表示，公司目前碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）晶圆线均已稳定量产，SiC JBS、SiC MOS性能达到国际先进水平，在工业和汽车领域为较多标杆客户批量出货。 据华润微介绍，公司包含SiC MOS在内的车规级产品及模块产品已向头部整车厂商及汽车零部件Ti...  [详内文]

扬杰科技取得多项SiC器件相关专利

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 02 日 17:50 |
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12月29日，扬杰科技公开“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”、“一种碳化硅半导体器件及其制备方法”、“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”等多项碳化硅（SiC）器件相关专利，申请日期均为2023年10月27日。 “隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”专利 天眼查资料显示...  [详内文]