文章分类： 企业

南京国盛第一枚GaN on Si外延片正式下线

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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| 分类: 企业
12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线。 据介绍，GaN on Si材料具有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，制成的器件还有一定的成本优势，具有较强的竞争力。国盛公司制备的GaN on Si外延片，可以满足电...  [详内文]

斥资50亿！光谷打造化合物半导体企业总部园区

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:45 |
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12月20日，武汉东湖高新区（以下简称光谷）宣布投资50亿元建设化合物半导体孵化加速及制造基地，选址九峰山实验室南面，计划明年开工，后年投用。作为总部园区，力争在3年内引育企业100家。 据悉，九峰山实验室是湖北十大实验室之一，已建成化合物半导体产业科研及中试平台。该总部园区将利...  [详内文]

晶盛机电实现8英寸衬底批量生产

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:35 |
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| 分类: 企业
12月21日，晶盛机电在回答投资者提问时表示，公司8英寸碳化硅（SiC）衬底片已实现批量生产，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。 据悉，晶盛机电自2017年开始SiC晶体生长设备和工艺研发，经过几年沉淀，今年已经迎来收获期。今年2月4日，晶盛机电成功发布6英寸双片式SiC外延设...  [详内文]

时代电气取得高压SiC电机控制器专利

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:44 |
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天眼查资料显示，12月12日，株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称时代电气）公开一项“一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车”专利，申请公布号CN117220562A，申请日期为2023年8月30日。 该专利摘要显示，本发明公开了一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车，...  [详内文]

聚焦SiC单晶衬底，世纪金芯和湖南S公司达成战略合作

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:42 |
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| 分类: 企业
近日，合肥世纪金芯半导体有限公司（以下简称世纪金芯）与湖南S公司正式签订战略合作协议。根据协议，双方将围绕碳化硅（SiC）单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，年合作不低于5万片，交易金额超过2亿元。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研发...  [详内文]

晶盛机电：SiC生长设备自研自用，外延设备外销

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:43 |
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| 分类: 企业
12月19日，晶盛机电在投资者互动平台表示，公司碳化硅（SiC）生长设备为自研自用，对外销售SiC外延设备。SiC衬底及外延片利润情况受其市场价格、综合成本等因素影响，随着公司长晶及加工技术、成本控制的不断优化，预期未来利润将因此受益。 source:晶盛机电 在SiC设备方面...  [详内文]

通用智能交付8英寸SiC晶锭激光剥离产线

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:45 |
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| 分类: 企业
12月16日，河南通用智能装备有限公司（以下简称通用智能）自主研发的8英寸碳化硅（SiC）晶锭剥离产线正式交付客户。 据通用智能介绍，由于SiC高硬度、高脆性特点，在SiC器件制造领域存在一个难点——晶锭分割工艺过程。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低且损耗高。...  [详内文]

PI、南瑞半导体透露SiC MOS项目新进展

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:46 |
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| 分类: 企业
因搭载高压平台的电动汽车在补能、续航等方面的表现出色，可以大幅提高客户的使用体验，大有成为主流之势。而SiC MOSFET在高压车载领域的良好表现，受到市场的追捧，新规格SiC MOSFET和其衍生品也在不断出新。就SiC MOSFET领域来看，又有两家企业有了新动态。 Powe...  [详内文]

SiC材料厂超芯星、东映碳材完成新一轮融资

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:45 |
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| 分类: 企业
近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下简称东映碳材）分别完成数亿元新一轮融资。 超芯星完成数亿元C轮融资 今日（12月14日），超芯星宣布完成数亿元C轮融资，本轮...  [详内文]