文章分类： 企业

时代电气取得高压SiC电机控制器专利

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:44 |
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天眼查资料显示，12月12日，株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称时代电气）公开一项“一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车”专利，申请公布号CN117220562A，申请日期为2023年8月30日。 该专利摘要显示，本发明公开了一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车，...  [详内文]

聚焦SiC单晶衬底，世纪金芯和湖南S公司达成战略合作

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:42 |
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近日，合肥世纪金芯半导体有限公司（以下简称世纪金芯）与湖南S公司正式签订战略合作协议。根据协议，双方将围绕碳化硅（SiC）单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，年合作不低于5万片，交易金额超过2亿元。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研发...  [详内文]

晶盛机电：SiC生长设备自研自用，外延设备外销

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:43 |
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| 分类: 企业
12月19日，晶盛机电在投资者互动平台表示，公司碳化硅（SiC）生长设备为自研自用，对外销售SiC外延设备。SiC衬底及外延片利润情况受其市场价格、综合成本等因素影响，随着公司长晶及加工技术、成本控制的不断优化，预期未来利润将因此受益。 source:晶盛机电 在SiC设备方面...  [详内文]

通用智能交付8英寸SiC晶锭激光剥离产线

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:45 |
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| 分类: 企业
12月16日，河南通用智能装备有限公司（以下简称通用智能）自主研发的8英寸碳化硅（SiC）晶锭剥离产线正式交付客户。 据通用智能介绍，由于SiC高硬度、高脆性特点，在SiC器件制造领域存在一个难点——晶锭分割工艺过程。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低且损耗高。...  [详内文]

PI、南瑞半导体透露SiC MOS项目新进展

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:46 |
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| 分类: 企业
因搭载高压平台的电动汽车在补能、续航等方面的表现出色，可以大幅提高客户的使用体验，大有成为主流之势。而SiC MOSFET在高压车载领域的良好表现，受到市场的追捧，新规格SiC MOSFET和其衍生品也在不断出新。就SiC MOSFET领域来看，又有两家企业有了新动态。 Powe...  [详内文]

SiC材料厂超芯星、东映碳材完成新一轮融资

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:45 |
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| 分类: 企业
近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下简称东映碳材）分别完成数亿元新一轮融资。 超芯星完成数亿元C轮融资 今日（12月14日），超芯星宣布完成数亿元C轮融资，本轮...  [详内文]

中电材料子公司第一枚SiC外延片正式下线

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:45 |
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12月13日，中电科半导体材料有限公司（下文简称“中电材料”）官微发文称，近日，中电材料下属国盛电子大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅（SiC）外延产品诞生，标志着中电材料SiC产业化建设迎来了新阶段。 国盛电子表示，首枚SiC外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客...  [详内文]

科友半导体8英寸SiC衬底项目通过中期验收

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 13 日 17:45 |
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| 分类: 企业
12月10日上午，科友半导体承担的“8英寸碳化硅（SiC）衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会在哈尔滨市松北区召开。评审专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸SiC单晶生长的新技术和新工艺，建立了SiC衬底生产的工艺流程，...  [详内文]

晶圆代工厂BAE Systems获得3500万美元资助

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 13 日 17:42 |
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12月11日，美国商务部宣布为BAE Systems提供约3500万美元（折合人民币约2.5亿元）的初始资金，用于对新罕布什尔州纳舒厄的微电子中心 (MEC) 进行现代化改造。 MEC是一家占地110000平方英尺、经美国防部 (DoD) 认证的芯片制造工厂，是美国境内唯一以国防...  [详内文]

英特尔展示GaN新技术

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 13 日 17:41 |
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在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。 具有集成驱动器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飞凌领导的欧洲重大研究项目开发。 Comp...  [详内文]