2月2日,淄博绿能芯创电子科技有限公司(以下简称淄博绿能芯创)官微发布消息称,西安A客户使用淄博绿能芯创6英寸碳化硅(SiC)1200V MOSFET代工制造平台,2种不同设计的1200V 20mΩ MOSFET首轮流片成功。
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据介绍,客户此次流片,使...  [详内文]
绿能芯创1200V 20mΩ SiC MOSFET首轮流片成功 |
作者 chen, zac | 发布日期: 2024 年 02 月 04 日 18:00 | | 分类: 企业 |