据悉,在半导体工艺制程中,芯片内阻越小,芯片面积越大,单芯片上缺点数越高,芯片的良率也会越差。对于10mΩ级别内阻的GaN芯片,制造难度较大。而云镓半导体近日在10mΩ内阻GaN芯片研发方面取得了突破。
图片来源:拍信网正版图库
近日,据云镓半导体官微披露,其自主研发了650V...  [详内文]
云镓发布650V/150A增强型GaN芯片 |
作者 chen, zac | 发布日期: 2024 年 05 月 27 日 18:00 | | 分类: 企业 |