6月27日,半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布,计划投资2亿美元(约合人民币14.5亿元)开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等下一代宽带隙半导体(WBG),并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。
同时,硅(Si)二极管和晶体管的晶圆厂产能也将增加。这些投资是与汉堡经济...  [详内文]
14.5亿!安世半导体将新建8英寸SiC和GaN产线 |
作者 huang, Mia | 发布日期: 2024 年 06 月 28 日 16:37 | | 分类: 企业 |