从硅（Si）到砷化镓（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），半导体材料禁带宽度的拓宽始终驱动着性能边界的拓展。如今，氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代超宽禁带半导体材料的代表，正以其颠覆性的物理特性与成本优势，掀起一场新的半导体革命。
氧化镓熔点高达1900℃，不溶于水，微溶于热酸或碱溶液。其β相稳定性最佳，具有4.9eV的禁带宽度（远超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高击穿场强，使其在高压、高频、高温等极端环境下表现优异，未来发展潜力巨大，全球竞相角逐研发，其中亚洲市场表现亮眼，近期传出新动态。
1、日本NCT全球首发全氧化镓基Planar SBD器件
近期，日本株式会社（NCT）宣布向全球合作客户推出其创新的Planar SBD（肖特基势垒二极管）器件。该器件基于全氧化镓材料制造，标志着NCT在氧化镓半导体领域的重大突破。
此次推出的Planar SBD器件为Research Sample（RS）级别，专为科研及早期应用探索而设计。产品提供两种电极尺寸规格供客户选择：
规格一：电极尺寸为2.4mm square，适用于特定测试及应用场景。
规格二：电极尺寸为3.2mm square，提供更大的电极面积，满足不同客户的测试需求。此次发布的
Planar SBD器件旨在满足客户对氧化镓器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动氧化镓行业的产业化发展。
氧化镓布局上，NCT公司于2021年推出了全球首个量产4英寸氧化镓晶圆，并计划2028年实现8英寸氧化镓量产。
2、镓仁半导体成功制备全球首款8英寸氧化镓晶圆衬底
今年3月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)宣布，基于自主创新的氧化镓单晶生长技术与大尺寸衬底加工技术，公司成功制备了全球首款8英寸（200mm）氧化镓晶圆衬底，国内第四代半导体氧化镓晶圆衬底率先迈入8英寸时代。
source：镓仁半导体
资料显示，镓仁半导体氧化镓晶圆衬底尺寸快速演进：2022年推出2英寸衬底，2023年推出4英寸衬底，2024年推出6英寸衬底，2025年推出8英寸衬底。
镓仁半导体指出，未来氧化镓应用前景广阔，主要表现在三个领域：
功率器件领域，尤其是大于650V的中压、高压以及特高压功率器件领域，比如新能源汽车快充、工业电源、电网高压功率模块等。
高功率射频器件领域，氧化镓的电子饱和速度、约翰逊优值较高，在射频器件领域具有很大应用潜力，比如通信基站和雷达系统等，对于通信、国防、航空航天等领域具有重要意义。
深紫外光电器件领域，氧化镓还可用于日盲探测、辐射探测等特有领域。“日盲”紫外探测是近年来迅速发展起来的一种新型探测技术，主要应用于紫外预警、紫外侦察、紫外制导和紫外非视线通讯等军事领域，以及环境监测、生化检测、工业燃烧过程控制、医学紫外成像等民用领域。（集邦化合物半导体秦妍整理）