近日，由中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会（以下简称“国促会标委会”）联合通标中研标准化技术研究院共同组织的《碳化硅外延片制备技术规范化学气相沉积法（CVD）》团体标准启动会顺利召开。
包括广东天域半导体股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、蓝河科技（绍兴）有限公司、深圳市纳设智能装备股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、杭州海乾半导体有限公司、扬帆半导体（江苏）有限公司在内的产业代表参加了本次启动会。
近年来，我国发布《关于化纤工业高质量发展的指导意见》《制造业可靠性提升实施意见》等相关政策，推动碳化硅等化合物半导体材料研发及产业化发展，鼓励业内企业提升相关技术水平。国促会标委会携手业内专家学者、先进企业制定该标准，旨在规范碳化硅外延片的制备过程，确保通过化学气相沉积法生长的外延层质量更高，能够满足特定性能要求，从而提升碳化硅器件的整体性能和可靠性。
化学气相沉积法（CVD）是目前碳化硅外延片制备的主流方法之一，由于其具有能够精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、生长速度适中、过程可自动控制等优点，可以更好地满足碳化硅外延片高质量、高效率的制备需求。因此，制定针对化学气相沉积法相关技术规范，对于推动碳化硅外延片行业发展具有重要意义。（集邦化合物半导体整理）
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