近日，天岳先进发布了2024年业绩预告，公司利润扭亏为盈，上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底扩产计划加速推进中。与此同时，多家厂商在8英寸碳化硅赛道上也正全力冲刺，有望在2025年迎来关键进展，共同推动产业加速升级。
天岳先进2024年利润扭亏为盈，A+H上市加速迈进
天岳先进预计2024年年度实现营业收入17.5亿元至18.5亿元，与上年同期相比，将增加4.99亿元至5.99亿元，同比增长39.92%到47.92%。预计净利润为1.7亿元至2.05亿元，与上年同期相比，将增加2.16亿元至2.51亿元，同比增长471.82%到548.38%，成功实现扭亏为盈。
预计2024年年度归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润为1.44亿元至1.79亿元，与上年同期相比，将增加2.57亿元至2.92亿元，同比增长227.75%到258.80%。
关于业绩增长，天岳先进表示，全球能源电气化、低碳化发展，以及电动汽车800V高压平台加速推进，碳化硅衬底材料需求大增。公司4-8英寸衬底产品实现批量供应，2024年产能利用率提升，产品产销量持续增长，规模效应显现，成本优化，高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，推动营收和毛利大幅增长。
值得注意的是，2024年12月27日，天岳先进宣布拟在境外发行股份（H股），并在香港联交所上市。公司表示，此举是为了加快公司的国际化战略及海外业务布局，增强公司的境外融资能力，进一步提高公司的资本实力和综合竞争力。
若上市成功，天岳先进将成为“A+H”上市公司。目前天岳先进正在为本次H股上市做前期筹备工作，相关细节还有待披露。
多家厂商8英寸碳化硅将在2025年迎来进展，加速产业升级
在8英寸碳化硅领域，天岳先进不仅实现8英寸碳化硅衬底本土化替代，还率先实现海外客户批量销售。目前天岳先进上海临港工厂已经能够达到年产30万片导电型衬底的大规模量产能力，并且该工厂二期8英寸碳化硅衬底扩产计划正在推进中。
除了天岳先进外，还有各个厂商也在积极布局，近期有望取得了诸多新进展。
士兰微旗下士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目总投资120亿元。目前一期正在进行上部结构施工，预计2025年一季度封顶，四季度末初步通线，2026年一季度进行试生产。一期项目达产后年产42万片8英寸碳化硅功率器件芯片，两期全部建成投产后，将形成年产72万片的生产能力。
安意法半导体方面，近期据安意法半导体副总经理李志勇介绍，三安光电和意法半导体在重庆合资建设的安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目，预计到2025年2月底生产线通线并开始投片生产，有望三季度末实现大规模批量生产。
项目预计投资总额达32亿美元，规划年产8英寸碳化硅车规级MOSFET功率芯片48万片，2028年全面达产。芯联集成的8英寸碳化硅器件研发产线已于2024年通线。其8英寸碳化硅产线计划总投资金额为9.61亿元，全面建成后将形成6/8英寸碳化硅晶圆6万片/年的生产规模，计划2025年内提早实现量产。
湖南三安SiC项目总投资160亿人民币，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。该项目此前预计到2024年12月，8英寸SiC芯片正式投产，达产后具备年产36万片6英寸SiC晶圆、48万片8英寸SiC晶圆的制造能力。
据行业内最新消息，目前该项目8英寸碳化硅芯片设备正在安装调试中，投产脚步渐近。
方正微电子Fab2的8英寸SiC生产线原预计2024年底通线，长远规划产能6万片/月。其Fab1当前已实现SiC产能9000片/月（6英寸），预计2025年具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力。（集邦化合物半导体 竹子）
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