12月19日，云南锗业发布公告称，同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称““鑫耀半导体”）以增资扩股方式引入新的投资者：深创投制造业转型升级新材料基金(有限合伙)（以下简称“深创投基金”）、深圳市远致星火私募股权投资基金合伙企业（有限合伙）（以下简称“远致星火”）。
据悉，深创投基金与远致星火将分别出资3亿及1亿元，认购本次鑫耀半导体新增注册资本1.6亿元，增资完成后，深创投基金、远致星火将分别持有鑫耀半导体25%、8.3333%的股权。
对于本次增资扩股原因，云南锗业表示，是基于鑫耀半导体当前的实际情况和经营发展的考虑，符合公司的长远发展规划，融入资金鑫耀半导体可以用于研发、生产运营、厂房和设备设施购置等。
鑫耀半导体主要业务为半导体材料砷化镓晶片及磷化铟晶片的生产与销售。目前在云南国家锗材料基地建成一条年产砷化镓抛光晶片30万片4英寸（或12万片6英寸）的单晶材料生产线以及一条年产5万片磷化铟衬底生产线。
据企查查显示，鑫耀半导体目前的主要股东为云南锗业、哈勃科技创业投资有限公司（下文简称“哈勃科技”）和惠峰，三者分别持股84.5%、9.3%、6.1%。值得一提的是，哈勃投资为华为投资有限公司全资子公司。
本次增资完成后，云南锗业所持有的鑫耀半导体股权由之前的84.5294%下降至56.3529%，公司对其控制地位不变，合并报表范围不会发生变更。鑫耀半导体二股东哈勃科技持股比例由9.3454%下降至6.2303%，位列深创投基金、远致星火之后，为第四大股东。（集邦化合物半导体Morty整理）
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