12月4日，据GlobalFoundries（格芯）官网消息，其又从美国政府获得了950万美元的联邦资助，用于推进其位于美国佛蒙特州埃塞克斯交界的工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体的生产。
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据介绍，这笔资金由美国国防部可信接入项目办公室（TAPO）提供，是美国联邦政府为支持格芯在佛蒙特州的氮化镓项目而投入的最新资金。获得这笔资金后，格芯将继续为其氮化镓IP产品组合和可靠性测试增加新的工具、设备和原型开发能力，其将更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化镓芯片。
据悉，自2020年以来，包括这项新资金在内，格芯总共从美国政府获得了8000多万美元，用于支持研究、开发和全面制造氮化镓芯片。其中包括2023年10月，格芯氮化镓项目获得了美国政府3500万美元的资助。
而在今年2月，作为芯片和科学法案的一部分，美国商务部宣布计划向格芯提供15亿美元的直接资助，用以扩大其在美国的氮化镓晶圆厂产能。
业务进展方面，今年6月，格芯和BAE Systems建立了合作伙伴关系，以加强美国国家安全项目的关键半导体供应。根据该协议，两家公司将就增加美国半导体创新和制造的长期战略进行合作，双方共同目标是推进美国国内芯片制造和封装生态系统，主要针对航空航天和国防系统的安全芯片及解决方案。
随后在7月，格芯收购了Tagore Technology的氮化镓功率产品组合，并在印度加尔各答创建了格芯加尔各答功率中心。该中心与格芯位于佛蒙特州的工厂密切配合并为其提供支持，有助于推动格芯在氮化镓芯片制造领域的研发和量产。（集邦化合物半导体Zac整理）
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