东部高科将与封测厂合作开发碳化硅/氮化镓
据韩媒报道，12月4日，韩国半导体封装企业LB Semicon与晶圆代工厂DB HiTek（东部高科）宣布，双方将合作开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）产品。
目前，东部高科正在推进SiC和GaN半导体业务，而LB Semicon也计划通过确保相应的封装和测试能力来提高其可靠性和技术水平。
与现有的基于硅晶圆的功率半导体相比，SiC/GaN半导体被认为是具有高耐热性和高电压特性的产品。东部高科表示，后续相关产品预计主要应用于能源存储系统（ESS）和人工智能（AI）基础设施等领域。
据集邦化合物半导体了解，东部高科今年一直在加速推进SiC/GaN业务。
2024年5月，东部高科表示将在今年第三季度引进GaN器件生产所需的相关设备，并在今年年底前完成量产准备，预计该GaN代工厂将在明年年初开始运营。
6月，东部高科、三星电子、SK Siltron以及无晶圆厂ABOV Semiconductor共同签署了半导体业务协议（MOU），共同致力于“化合物功率半导体先进技术开发项目”。该项目将聚焦GaN功率半导体的研发。
7月，GaN外延企业Apro Semicon表示将与DB HiTek合作生产GaN芯片。
10月，东部高科宣布将在忠清北道Eumseong的Sangwoo园区内投资扩建半导体洁净室，计划先行建设8英寸SiC产线。
目前，东部高科已进入建立8英寸试点工艺的最后阶段。计划从2026年开始，东部高科将投入生产设备，建立正式的量产体系。项目投产后，DB HiTek 8英寸SiC晶圆产能将达3.5万片/月，这将使其月生产能力从目前的15.4万片提高23%，达到19万片。（文：集邦化合物半导体Morty编译）
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