11月20日，据三菱电机官网消息，三菱电机将投资约100亿日元（约4.67亿人民币）在日本福冈县的功率器件制作所建设一座新的功率半导体模块封装与测试工厂。该工厂最初于2023年3月14日宣布，预计于2026年10月开始运营。
source：三菱电机
作为功率半导体模块封装与测试工序的主要工厂，该工厂将整合以前分散的封装和测试生产线，以简化从零部件进货到制造和最终发货的生产流程。将实施新系统，以实现制造流程管理和产品运输的自动化，从而提高生产率。此外，三菱电机将加强从设计、开发和生产技术验证到制造的一体化系统，以增强产品开发能力。
三菱电机期望新工厂能够支持其快速稳定地供应产品，以满足市场对功率半导体需求的预期增长。
在功率半导体业务方面，三菱电机近日宣布，其于11月14日开始提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）和其他电动汽车（xEV）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。
这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，这款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片结合了特有的芯片结构和制造技术，有助于提升逆变器性能、延长续航里程和提高xEV的能源效率。
根据三菱电机披露的消息，其此次发布的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET，与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%。
据悉，三菱电机于1997年开始量产用于xEV的功率半导体模块，并已应用于各种电动汽车（EV）和混合动力电动汽车（HEV）。（集邦化合物半导体Zac整理）
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