11月18日，广州粤升半导体设备有限公司（下文简称“广州粤升”）宣布，公司已在今年9月实现碳化硅（SiC）外延设备的大批量出货。
source：广州粤升
广州粤升表示，此批设备在第一代外延炉基础上做了进一步优化设计，具备生产高质量、高稳定性的外延片生产能力。
资料显示，广州粤升成立于2021年，专注于碳化硅外延设备、碳化硅晶体生长设备的研发和生产。
2022年6月，广州粤升与广州海创产业技术研究院合作，成立SiC外延设备研发中心；11月，首台SiC外延设备研发成功；2023年2月，广州粤升开始液相法SiC单晶设备的研发；9月，该公司SiC外延设备产品装车交付；11月，液相法SiC单晶设备批量交付；2024年9月，实现SiC外延设备的大批量出货。
广州粤升指出，公司自主研发的SiC外延设备，已在客户端连续稳定运行近两年，能够满足厚膜以及3C晶型的外延要求。
值得一提的是，广州粤升的母公司东莞市中科汇珠半导体，旗下产品包含:传统4H-n型SiC衬底的外延片、基于液相法4H-p型SiC和3C-SiC衬底的外延片，目前产品已取得国内头部SiC器件企业的多轮流片验证，具备规模量产能力。（集邦化合物半导体Morty整理）
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